液晶介质和包含其的液晶显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种液晶介质，优选具有向列相和0.5或更大的介电各向异性，其包含一种或多种式(D)的化合物其中参数具有文中所给出的含义，涉及其在电光显示器中，特别是在基于IPS或FFS效应的有源矩阵显示器中的用途，涉及含有该类型液晶介质的该类型显示器，和涉及式(T)的化合物，以及它们用于改善包含一种或多种额外介晶化合物的液晶介质的透射率和/或响应时间的用途。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型的液晶介质，特别是用于液晶显示器的液晶介质，和这些液晶显示器，特别是使用利用介电正性液晶的ips(面内切换)或优选ffs(边缘场切换)效应的液晶显示器。最后一个也偶尔被称为xb-ffs(超亮的ffs，即使用具有正介电各向异性，且含有reg.nr.302015038212(无大介电各向异性的极性液晶(在ffs盒中)的液晶混合物的效应)效应。对于该效应，使用包含一种或多种同时具有高的平行于分子指向矢和垂直于分子指向矢的介电常数的化合物的介电正性液晶，这导致大的平均介电常数和高介电比以及优选同时导致相对小的介电各向异性。液晶介质任选额外地包含介电负性、介电中性化合物或这二者。以沿面(即平面)初始配向使用该液晶介质。根据本专利技术的液晶介质具有正介电各向异性并且包含同时具有大的平行于和垂直于分子指向矢的介电常数的化合物。所述介质的特征在于在各个显示器中特别高的透射率和降低的响应时间，这通过它们独特的物理性能组合，尤其是通过它们的介电性能和特别是通过它们高的(ε⊥/εav.)比或它们高的介电比(ε⊥/△ε)的值带来。此外，且特别地，它们特征在于优异的γ1/k11的比。这也本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式D的化合物

2.根据权利要求1的介质，其特征在于其包含一种或多种化合物，其选自式D-1和D-2的化合物:

3.根据权利要求2的介质，其特征在于其包含一种或多种式D-1的化合物和/或一种或多种式D-2的化合物。

4.根据权利要求1至3中任一项的介质，其特征在于其包含一种或多种选自式II和III的化合物的化合物:

5.根据权利要求1至3中任一项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自式IV和V的化合物:

6.根据权利要求1的介质，其特征在于作为整体的介质中式I的化合物的总浓度为1％至60％...

【技术特征摘要】

1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式d的化合物

2.根据权利要求1的介质，其特征在于其包含一种或多种化合物，其选自式d-1和d-2的化合物:

3.根据权利要求2的介质，其特征在于其包含一种或多种式d-1的化合物和/或一种或多种式d-2的化合物。

4.根据权利要求1至3中任一项的介质，其特征在于其包含一种或多种选自式ii和iii的化合物的化合物:

5.根据权利要求1至3中任一项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自式iv和v的化合物:

6.根据权利要求1的介质，其特征在于作为整体的介质中式i的化合物的总浓度为1％至60％。

7.根据权利要求1至3中任一项的介质，其特征在于其包含一种或多种选自以下之一的手性化合物：

8.根据权利要求1至3中任一项的介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式化合物的式iv的化合物：cc-n-v和/或cc-n-vm和/或cc-v-v和/或cc-v-vn和/或cc-nv-vn，和任选额外的cc-3-v1，和/或cc-4-v。

9.根据权利要求1至3中任一项的介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式化合物的式iv的化合物：cc-3-v。

10.根据权利要求1至3中任一项的介质，其特征在于其包含浓度为最多60％或更小的cc-3-v。

11.根据权利要求1至3中任一项的介质，其特征在于其包含浓度为最多50％或更小的cc-3-v。

12.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·格茨，C·布洛克，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：