【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域，具体地，涉及一种发光二极管及其制造方法及显示装置。
技术介绍
1、全色域led显示屏由红、绿、蓝三基色(rgb)micro led芯片按照一定排列方式在基板上装配而成。由于rgb micro led芯片尺寸小，制作全色域rgb micro led显示屏所需要转移的rgb micro led数量是巨量的，工艺过程过于复杂，对准精度要求高，导致转移难度大、量产良率偏低、生产成本过高、一致性差等问题。并且全色域led显示屏的最终尺寸和分辨率又受到每组rgb micro led芯片尺寸大小和间距的制约，一般传统的rgb，每组采用红、绿、蓝三颗芯片水平面均匀间隔排布在一起形成rgb效果，不仅单组尺寸占比较大，且各组相邻rgb micro led芯片的单颗芯片间隔偏小，易产生混色影响，导致分辨率低。
2、另一方面，从ar目前的产品来看，主要以单色屏为主，如jbd的ar眼镜等，主要由于芯片尺寸在ar的应用来说，已经小于5μm，难以使用转移技术去实现巨量转移，因此目前的制程为将外延先键合至si-cmos后再进行...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括电极结构，形成在所述基板的第一表面侧，所述电极结构包括：
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延结构和所述第二外延结构之间的间隔距离介于1μm～10μm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延结构的厚度小于等于2μm，所述第二外延结构的厚度小于等于2μm，所述第三外延结构的厚度小于等于2μm。
6.根据权利要求2所述的发光...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括电极结构，形成在所述基板的第一表面侧，所述电极结构包括：
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延结构和所述第二外延结构之间的间隔距离介于1μm～10μm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延结构的厚度小于等于2μm，所述第二外延结构的厚度小于等于2μm，所述第三外延结构的厚度小于等于2μm。
6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，第一p型层形成为外延dbr结构，所述外延dbr结构包括至少一组叠置的砷化铝镓层和砷化铝层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延结构为红光外延结构，所述第二外延结构为绿光外延结构，所述第三外延结构为蓝光外延结构。
8.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二外延结构形成有电极台面，所述电极台面暴露所述第二外延结构的部分第二n型层，所述第三电极形成在所述电极台面上与所述第二n型层连接。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极形成在所述第一外延结构的所述第一p型层一侧；所述第二电极在所述第一外延结构的表面与所述第一n型层连接；所述第四电极在所述第三发光外延层的表面与所述第三n型层连接；所述第五电极形成在所述第二外延结构的所述第二p型层一侧。
10.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，所述基板的第一表面与所述外延结构之间还形成有键合层，所述键合层包括第一键合层和第二键合层；所述第一键合层位于所述第一外延结构和所述基板之间与所述第二电极键合；所述第二键合层位于所述第二外延结构和所述基板之间。
11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，还包括第二绝缘层，位于所述第二外延结构和所述第三外延结构的侧壁，并与所述第一绝缘层形成连续结构。
13.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，在所述第一表面所在平面上的投影中，所述第一外延结构的投影为第一投影区，所述第二外延结构的投影为第二投影区...
【专利技术属性】
技术研发人员：王彦钦，郭桓卲，彭钰仁，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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