【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及与原子层沉积相关联的方法。更具体地，本公开涉及用于通过原子层沉积在具有复杂内部结构和/或高深宽比的部件的内表面上产生耐腐蚀涂层的系统和方法。
技术介绍
1、可通过使用制造装备执行一个或多个制造处理来生产产品。例如，半导体制造装备可用于经由半导体制造处理来生产基板。在一些实施例中，用于处理半导体的条件可能很严苛，例如，处理可能在高温下执行，包括等离子体、涉及腐蚀性气体等。为了避免过量维护和/或部件更换，处理腔室部件可以被构造成抵抗目标处理条件的不利影响。
技术实现思路
1、以下是本公开的简化概述，用以提供对本公开一些方面的基本理解。本概述不是对本公开的广泛概述。其既不旨在标识本公开的关键或关键性要素，也不旨在描绘本公开的特定实施例的任何范畴或权利要求书的任何范畴。其唯一目的是以简化形式呈现本公开的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。
2、本公开的一个方面描述了一种方法，包括将供应装置固定到腔室部件的一个或多个通道的入口。通道在腔室部件的包括入口的第一侧与腔室部件的...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中选择所述多个ALD循环中的ALD循环的数量以使所述耐腐蚀涂层具有5nm至1μm的厚度。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包括用于将处理气体输送到处理腔室的设备。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述耐腐蚀涂层包括氧化铝。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物包括氧源或铝源中的第一种，并且其中所述第二反应物包括所述氧源或所述铝源中的第二种。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述供应装置、所述排放装置、以及所述腔室部件设置在真空腔
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中选择所述多个ald循环中的ald循环的数量以使所述耐腐蚀涂层具有5nm至1μm的厚度。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包括用于将处理气体输送到处理腔室的设备。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述耐腐蚀涂层包括氧化铝。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物包括氧源或铝源中的第一种，并且其中所述第二反应物包括所述氧源或所述铝源中的第二种。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述供应装置、所述排放装置、以及所述腔室部件设置在真空腔室内。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包括第一主体和第二主体，所述第一主体包括第一结合表面，所述第二主体包括第二结合表面，其中所述第一结合表面结合到所述第二结合表面，并且其中所述耐腐蚀涂层没有沉积在所述第一结合表面或所述第二结合表面上。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
9.一种系统，包括：
10.如权利要求9所述的系统，其中所述排放装置包括耦接到所述出口的一个或多个排放通道，并且其中所述ald气体流动路径不包括由所述第二侧界定的任何空间。
11.如权利要求9所述的系统，进一步包括在所述排放装置与所述第二侧之间的密封件，其中所述ald气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·F·贝恩克，C·黄，阿尔伯特三世·B·希克斯，S·D·马克斯，J·F·萨默斯，C·L·博德里，T·J·富兰克林，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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