一种OLED显示结构及制作方法技术

本发明专利技术提供了一种OLED显示结构及制作方法，包括位于底部的CMOS IC层；CMOS IC层上铺设反射层，反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；反光膜层的底面贴覆CMOS IC层，反光介质层顶面铺设阳极层；阳极层为Al和ITO材质经过剥离存在间隙Pitch；阳极层上铺设发光层，发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、EML发光叠层、电子传输层和电子注入层；空穴注入层的底面贴覆阳极层，电子注入层上铺设阴极层，阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；氧化铝膜层的顶面覆盖棱镜Lens层；棱镜Lens层上覆盖上扩散层，上扩散层上覆盖彩膜层；彩膜层上覆盖光学膜层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示，涉及一种硅基oled，特别是一种oled显示结构及制作方法。

技术介绍

1、oled性能要求逐步提高来匹配不同终端应用场景，其中最主要的指标就是亮度和光均匀性、对比度，在现有材料发光效率提升技术瓶颈下，通过结构的优化来提升是现阶段最有效直接的提升方式。

2、由于阳极像素之间间隙是一个无效不发光pitch区，就会存在一定的光明暗不均匀性问题，可以进行结构的优化。同样当采用单色发光亮度比较高，因为结构中金属材料存在一定反射环境的光线，会一定程度上影响对比度。

3、现有技术在反射率、亮度、均匀性和对比度等显示效果的综合性上仍需要进一步提升。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种oled显示结构及制作方法。

2、本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；所述cmos ic层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述cmos 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种OLED显示结构，包括位于底部的CMOS IC层；其特征在于，所述CMOS IC层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述CMOS IC层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为Al和ITO材质经过剥离存在间隙Pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、EML发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖棱镜Lens层；所述棱镜Lens层上覆盖上扩散层，所述...

【技术特征摘要】

1.一种oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；其特征在于，所述cmos ic层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述cmos ic层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为al和ito材质经过剥离存在间隙pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、eml发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖棱镜lens层；所述棱镜lens层上覆盖上扩散层，所述上扩散层上覆盖彩膜层，所述彩膜层依次由r色彩膜像素点、b色彩膜像素点、g色彩膜像素点间隔排布形成；所述彩膜层上覆盖光学膜层。

2.一种oled显示结构的制作方法，所述制作方法应用于如权利要求1所述的oled显示结构，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

3.一种oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；其特征在于，所述cmos ic层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述cmos ic层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为al和ito材质经过剥离存在间隙pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、eml发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖第一棱镜lens层；所述第一棱镜lens层上覆盖上扩散层，所述上扩散层上覆盖彩膜层，所述彩膜层依次由r色彩膜像素点、b色彩膜像素点、g色彩膜像素点间隔排布形成；所述彩膜层上覆盖第二棱镜lens层，所述第二棱镜lens层上覆盖光学膜层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：施国良，邓荣斌，孙浩，周广东，梁昌良，
申请(专利权)人：广西自贸区睿显科技有限公司，
类型：发明
国别省市：