用于输送钼蒸气的装置及方法制造方法及图纸

技术编号:43373000 阅读:13 留言:0更新日期:2024-11-19 17:52
公开一种可暴露于例如钼蒸气、钨蒸气或其任何组合的化学蒸气的装置,所述装置具有覆盖其至少一部分的涂层。所述涂层减少或抑制所述装置的外表面暴露于蒸气时的质量改变。在某些情形中,所述质量改变为质量增加,且所述涂层减少或抑制等于或小于1x 10<supgt;‑5</supgt;g mm<supgt;‑2</supgt;的质量增加。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及用于输送钼蒸气的装置及方法的领域。优先权本公开主张申请日期为2022年3月8日的第63/317,718号美国临时申请案的优先权。


技术介绍

1、当材料暴露于例如钼蒸气的化学蒸气时,各种材料遭受不希望的腐蚀。增加的热量、压力或两者可增强不希望的腐蚀。


技术实现思路

1、可经由测量材料中的质量损失来检测材料(例如,金属)中的腐蚀。暴露于化学蒸气、热量、压力或其任何组合可导致暴露表面处的质量损失。可检测及测量这种质量损失。

2、在暴露表面增加质量的特定条件下,可发生另一种不希望的腐蚀。即,在特定情形下,材料(例如,金属)中的腐蚀可经由测量暴露材料中、暴露材料上或暴露材料处的质量增加来检测。暴露于化学蒸气、热量、压力或其任何组合,可导致增强材料的暴露表面中、暴露材料上或暴露材料处的质量增加。在某些情况下,质量增加发生在与材料发生化学反应之前,可将其归类为腐蚀。

3、本公开的一些实施例涉及保护材料的表面的至少一部分免于质量改变。本公开的一些实施例涉及保护材料的表面的至少一部分免于质量增本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述质量改变为质量增加。

3.根据权利要求2所述的装置,其中所述涂层减少或抑制等于或小于1x 10-5g mm-2的每单位面积的所述质量增加。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述质量改变为质量损失。

5.根据权利要求1所述的装置,其中所述蒸气包括MoO2Cl2、MoOCl4、MoCl5、WCl6、WCl5、WOCl4、WO2Cl3中的至少一者或其任何组合。

6.根据权利要求1所述的装置,其中所述涂层包括金属氧化物、金属合金、元素金属、石英中的至少一者或其任何组合。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述质量改变为质量增加。

3.根据权利要求2所述的装置,其中所述涂层减少或抑制等于或小于1x 10-5g mm-2的每单位面积的所述质量增加。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述质量改变为质量损失。

5.根据权利要求1所述的装置,其中所述蒸气包括moo2cl2、moocl4、mocl5、wcl6、wcl5、wocl4、wo2cl3中的至少一者或其任何组合。

6.根据权利要求1所述的装置,其中所述涂层包括金属氧化物、金属合金、元素金属、石英中的至少一者或其任何组合。

7.根据权利要求1所述的装置,其中所述涂层包括金属氧化物。

8.根据权利要求7所述的装置,其中所述金属氧化物包括氧化铝、氧化硅、氧化钇、氧化镁、氧化钙、氧化锆、氧化铪、氧化硼中的至少一者或其任何组合。

9.根据权利要求1所述的装置,其中所述涂层包括金属合金。

10.根据权利要求9所述的装置,其中所述金属合金包括基于所述金属合金的总重量小于20重量%的钼(mo)。

11.根据权利要求1所述的装置,其中所述涂层包括铝(al)、硅(si)、钇(y)、镁(mg)、钙(ca)、锆(zr)、铪(hf)、硼(b)中的至少一者或其任何组合。

12.根据权利要求1所述的装置,其中所述涂层包括氧化钇、氧化铝、二氧化硅、石墨、溅射镍、氟化金属合金、抛光不锈钢、硼硅酸盐玻璃中的至少一者或其任何组合。

13.根据权利要求2所述的装置,其中所述质量增加至少部分归因于钼残留物、钨残留物或其任何组合。

14.根据权利要求13所述的装置,其中当...

【专利技术属性】
技术研发人员:B·C·亨德里克斯S·L·巴特尔B·R·加勒特C·瓦尔德弗里德G·理查兹
申请(专利权)人:恩特格里斯公司
类型:发明
国别省市:

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