一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法技术

本发明专利技术提出一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法，涉及铜和硒掺杂技术领域，包括：在冰浴条件下，通过混合Na<subgt;2</subgt;S<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;·5H<subgt;2</subgt;O、CuSO<subgt;4</subgt;·5H<subgt;2</subgt;O和KSeCN制备了CuSeCN粉末，在多次纯化后，采用旋涂的制膜工艺在CdTe背面制备了微米级别的薄膜，器件在退火后由于Se和Cu的扩散作用形成了CdSe<subgt;x</subgt;Te<subgt;1‑x</subgt;合金层并实现了高性能的转换效率，本发明专利技术开发了具有Cu和Se双重激活的新材料，提高了载流子提取率，降低了器件的肖特基势垒，制备了带隙可测的CdSe<subgt;x</subgt;Te<subgt;1‑x</subgt;合金层，此外，用CuSeCN处理的CdTe薄膜表现出比用CuSCN/CdSe双层处理的器件更高的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铜和硒掺杂，尤其涉及一种新型的cdte太阳电池铜和硒掺杂方法。

技术介绍

1、随着光伏产业的发展和大规模应用，cdte太阳电池因其良好的稳定性和合适的带隙(1.48ev)而被广泛用于大规模工业生产。高质量cdte的制造得益于吸收层的组成/带隙优化，例如，通过将硒插入吸收层的前结位置以形成cdsexte1-x合金层。由于cdse-cdte系统中的能带弯曲效应，cdte的本征带隙可以从1.48ev降低到1.4ev，这对于拓宽光谱范围(300-900nm)和实现更好的cdse-cdte异质结构的能带对准是可行的。相对于s原子，附加se原子在cdte吸收剂中表现出更高的溶解度。这是由于与cds相比，所形成的cdse的晶格常数更接近于cdte的晶格常量因此cdse/cdte界面的晶格失配小于cds/cdte。大量的研究工作集中在工艺参数的工程上，以最小化cdsexte1-x的带隙，从而满足太阳能电池效率的shockley-queisser热力学极限中的最佳带隙。理论计算证实，cdsexte1-x的光学带隙小于1.4ev，这为未来制备吸收剂提供了更多机会本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：所述步骤一中，纯化处理的方式为：对灰白色沉淀物分别用去离子水、乙醚和乙醇洗涤1～3次，然后放入真空烘箱中，进行干燥，其中干燥温度为70～80℃，时间为12～16h。

3.根据权利要求1所述的一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：所述步骤二中，过滤处理的方式为：将CuSeCN氨水旋涂液置于50～70℃下，搅拌2～3h，然后冷却，冷却后使用0.22μm过滤头过滤。

4.根据权利要求1所述的一...

【技术特征摘要】

1.一种新型的cdte太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型的cdte太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：所述步骤一中，纯化处理的方式为：对灰白色沉淀物分别用去离子水、乙醚和乙醇洗涤1～3次，然后放入真空烘箱中，进行干燥，其中干燥温度为70～80℃，时间为12～16h。

3.根据权利要求1所述的一种新型的cdte太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：所述步骤二中，过滤处理的方式为：将cusecn氨水旋涂液置于50～70℃下，搅拌2～3h，然后冷却，冷却后使用0.22μm过滤头过滤。

4.根据权利要求1所述的一种新型的cdte太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：所述步骤二中，控制cusecn氨水旋涂液的浓度为1～20mg/ml。

5.根据权利要求1所述的一种新型的cdt...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞林，郑康辉，周玉凤，王刚，陈金伟，张洁，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：