【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及元器件检测，尤其涉及一种达林顿晶体管检测方法及系统。
技术介绍
1、随着我国芯片以及半导体技术的发展，集成电路的型号和数量也随之不断增加；为了保证所使用的集成电路的质量，需要对集成电路的功能进行检测；集成电路的检测是指通过测试平台对集成电路特定的引脚施加规定的应力，测试平台同时监测集成电路所返回的相应参数，以此达到测试集成电路的目的。
2、公开号为cn109765474b涉及一种达林顿晶体管参数的测试方法，包括如下步骤：在测试bvceo参数过程中，通过示波器观测是否有自激震荡；在达林顿晶体管的基极b、集电极c间并入300p/2kv阻尼电容；在偏置电流ic的回路中串联10kω电阻来消除自激震荡；在测试饱和压降vces参数时，通过降低集电极电流ib的输入值，得出最终测试饱和压降vces的值。
3、目前主要通过在测试平台上编写相对应的程序对集成电路进行检测，考虑到不同生产厂家生产的达林顿晶体管也会存在引脚定义和电参数的不同，进而会造成测试人员频繁操作和错误率提高，并且，测试系统在长时间运行会产生大量的热量...
【技术保护点】
1.一种达林顿晶体管检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在于：步骤S2中所述测试输出漏电流，在晶体管对应的测试引脚施加输入电压，并根据温度选择测试模式进行循环测试，分别计算得到不同测量模式的输出漏电流合格阈值，以判断输出漏电流是否合格，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在于：步骤S25所述根据测试平均值及测试标准偏差，分别计算获得高温测试模式和常温模式的输出漏电流合格阈值，包括以下子步骤：
4.如权利要求1所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种达林顿晶体管检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在于：步骤s2中所述测试输出漏电流，在晶体管对应的测试引脚施加输入电压，并根据温度选择测试模式进行循环测试，分别计算得到不同测量模式的输出漏电流合格阈值，以判断输出漏电流是否合格，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在于：步骤s25所述根据测试平均值及测试标准偏差，分别计算获得高温测试模式和常温模式的输出漏电流合格阈值，包括以下子步骤：
4.如权利要求1所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在于：步骤s3中所述给定集电极-发射极电压下，根据用户输入或默认参数设置集电极电流，测试晶体管在不同集电极电流下的输入电压是否合格，包括以下子步骤：
5.如权利要求1所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在于：步骤s4中所述通过选择单电压模式或电压电流模式，分别对晶体管对应的测试引脚的输入电压，检测导通状态输入电流，包括以下子步骤：
6.如权利要求3所述的达林顿晶体管检测方法，其特征在于：步骤s5中所述若处于高温测试模式下，对晶体管对应的测试引脚施加输入电流，并检测相应的晶体管测试引脚的关断输入电流，检测关断状态输入电流...
【专利技术属性】
技术研发人员：饶尊煜，谭建东，王艺澄，李明轶，陶晶晶，韩毅，刘凯玮，
申请(专利权)人：中电中南武汉计量检测有限公司，
类型：发明
国别省市：
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