【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，属于多晶硅还原炉控制领域，尤其是多晶硅还原炉生产过程中实时异常的检测处理方法。
技术介绍
1、棒状多晶硅是制取单晶硅的原料，而单晶硅在电子工业中有着广泛的应用，例如集成电路、半导体器件等；在光伏产业中，通过将多晶硅加工成电池片，再组装成光伏组件，可将太阳能转化为电能。因此多晶硅成为相关领域具有重要应用价值的材料。
2、在多晶硅还原炉的生产过程中，当炉内气氛中的三氯氢硅浓度与硅棒表面温度之间的平衡遭到破坏后，反应生成的硅无法有效吸附至硅棒表面，而漂浮在炉内气氛当中，经过一段时间的积累，就会出现雾化现象。所谓雾化现象是指雾化的硅颗粒无法有序地沉积在硅棒表面，导致硅棒的晶体结构不均匀，可能产生缺陷和杂质，从而降低硅棒的品质和电学性能。例如，硅棒可能会出现局部电阻率异常，影响其在半导体器件制造中的应用；雾化的硅颗粒会占据炉内空间，减少有效反应区域，降低反应物的浓度和反应速率，延长硅棒的生长周期；以及由于反应的不平衡和雾化现象的出现，为了达到预期的生产效果，可能需要增加输入的...
【技术保护点】
1.一种多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：确定雾化异常检测控制的关键影响因素基于的原理为辐射传热原理，其公式为公式中Q表示硅棒向炉筒内壁的传热量，k是辐射传热系数，A表示硅棒向炉筒内壁的发射面积，T1表示硅棒向炉筒内壁的发射温度，T2表示炉筒内壁对硅棒的接受温度；
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：步骤S2中，从分布式控制系统的OPC数据库中批量读取历史炉次数据时，数据颗粒度为1条/m
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【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：确定雾化异常检测控制的关键影响因素基于的原理为辐射传热原理，其公式为公式中q表示硅棒向炉筒内壁的传热量，k是辐射传热系数，a表示硅棒向炉筒内壁的发射面积，t1表示硅棒向炉筒内壁的发射温度，t2表示炉筒内壁对硅棒的接受温度；
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：步骤s2中，从分布式控制系统的opc数据库中批量读取历史炉次数据时，数据颗粒度为1条/min。
4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：步骤s3中，对现场采集的多晶硅还原炉底盘出口尾气温度数据进行均值处理，获得短时均值数据以及长时均值数据，其中，短时区间为3-10min，长时区间为60-120min。
5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：短时设定为5min，长时设定为120min。
6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：步骤s4中，将获得的短时...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙彧，刘二明，周君，姚余善，
申请(专利权)人：无锡混沌能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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