【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文要求保护的专利技术涉及用于抛光电介质的组合物和方法。本文要求保护的专利技术特别地涉及相对于钨对电介质的去除提供高选择性的组合物和方法。
技术介绍
1、集成电路(ic)的制造是多步骤工艺。第一步骤(也称为前道工序或feol步骤)涉及通过合适的技术(如光刻或离子注入)在半导体上对单个装置如晶体管(例如c-mosfet)进行图案化。随后插入金属线/插头和绝缘层(如电介质)以互连各个装置(也称为后道工序或beol步骤)。随着超大规模集成电路(ulsi)技术中特征尺寸的不断缩小，需要形成多级互连。
2、金属如钨、钴、钌和铜通常用作连接件，并且特定金属的选择是基于其在构造中的位置来进行的。例如，常见的第一金属互连(金属层0)是插入电介质层(如二氧化硅)中的钨插塞。另一方面，在beol步骤期间，铜是最常见的沉积金属，但对于较低的互连级(例如，金属层1-4)，通常使用钨和钴。
3、已经发现cmp(化学机械平坦化)是使得能够实现多级互连形成的技术的关键，因为其可以启动局部和全局平坦化，并且同时提供良好的表面品质，即优异的镜面状...
【技术保护点】
1.一种电介质抛光组合物，该组合物包含
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，该表面改性的胶体二氧化硅颗粒在≥2.0至≤4.5范围内的pH下具有-80mV至-35mV的ζ电位。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的组合物，其中，基于该组合物的总重量，该表面改性的胶体二氧化硅颗粒(A)的浓度在≥0.01wt.％至≤13.0wt.％的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，该胍衍生物选自丁双胍、苯乙双胍、鸟嘌呤、盐酸氯胍、2-胍基苯并咪唑、聚六亚甲基双胍盐酸盐、聚氨基丙基双胍、氯己定或氯己定盐。
5.根据...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电介质抛光组合物，该组合物包含
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，该表面改性的胶体二氧化硅颗粒在≥2.0至≤4.5范围内的ph下具有-80mv至-35mv的ζ电位。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的组合物，其中，基于该组合物的总重量，该表面改性的胶体二氧化硅颗粒(a)的浓度在≥0.01wt.％至≤13.0wt.％的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，该胍衍生物选自丁双胍、苯乙双胍、鸟嘌呤、盐酸氯胍、2-胍基苯并咪唑、聚六亚甲基双胍盐酸盐、聚氨基丙基双胍、氯己定或氯己定盐。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中，基于该组合物的总重量，该第一腐蚀抑制剂(b)的浓度在≥0.005wt.％至≤0.05wt.％的范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的组合物，其中，该组合物的ph在≥2.5至≤4.0的范围内。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物，其中，该第二腐蚀抑制剂(c)的根据凝胶渗透色谱法确定的重均分子量在≥5000g/mol至≤50,000g/mol的范围内。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的组合物，其中，基于该组合物的总重量，该第二腐蚀抑制剂(c)的浓度在≥0.005wt.％至≤0.02wt.％的范围内。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的组合物，其中，该铁(iii)氧化剂(d)选自硝酸铁(iii)或其水合物。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的组合物，其中，基于该组合物的总重量，该铁(iii)氧化剂(d)的浓度在≥0.005wt.％至≤0.1wt.％的范围内。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的组合物，其中，基于该组合物的总重量，该氧化硅去除速率增强剂(e)的浓度在≥0.1wt.％至≤1.0wt.％的范围内。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的组合物，其中，该稳定剂(f)选自乙酸、乙酰丙酮、o-磷酸乙醇胺、膦酸、阿仑膦酸、乙酸、邻苯二甲酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵庆勋，蔡宗祐，陈勇裕，M·劳特尔，魏得育，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：
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