本发明专利技术属于金相试样制备技术领域，公开了一种锗锑硒碲靶材金相显示的方法，包括：锗锑硒碲靶材经过切割、镶样、粗磨、精磨、粗抛、精抛后，得到锗锑硒碲靶材试样；锗锑硒碲靶材试样在腐蚀液中进行金相腐蚀，清洗、干燥后，得到锗锑硒碲靶材金相试样；所述腐蚀液为氯酸钾（KClO<subgt;3</subgt;）、氢氧化钠（NaOH）和水的混合溶液。采用碱性溶液作为腐蚀液，避免了强酸腐蚀剂的使用，尤其是避免了含有氢氟酸的强酸腐蚀剂的应用，安全环保。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金相试样制备，具体涉及锗锑硒碲靶材金相显示的方法。
技术介绍
1、锗锑硒碲靶材是一种相变薄膜材料，具有擦除率高、热稳定性和循环性好、功耗低等特点，是相变存储器的核心材料，应用前景极为广泛。一般通过粉末冶金、热压成型、磁控溅射，在基体上制备锗锑硒碲薄膜。薄膜的性能不仅受靶材的纯度、组分、氧含量和密度等的影响，也和晶粒的大小、形貌、均匀性等内部结构有着密切的关系。金相观察是研究材料内部组织结构最直接有效的方法。
2、金相试样显示方法一般有光学法、浸蚀法、干涉层法、高温浮突法、磁性显示法及装饰法。目前比较常用的方法是浸蚀法，可分为电解浸蚀法、阴极真空浸蚀法、热蚀法、恒电浸蚀法等。但是以上浸蚀法都需要借助设备进行浸蚀，金相试样浸蚀操作复杂，成本较高。
3、cn117347130a公开了一种锗锑碲合金金相腐蚀方法及金相组织显示方法。通过切割、粗磨、精磨、抛光等操作把试样准备好，再通过用浓度为40%的氢氟酸、浓度为71%的硝酸和水按1:1:40配成腐蚀液，腐蚀10s～20s后清洗并吹干得到金相试样。
>4、cn11518本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，所述氯酸钾、氢氧化钠、水的质量比为3～6: 1 :10～20。
3.如权利要求1所述的锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，所述粗磨、精磨、粗抛、精抛在自动磨抛机中进行。
4.如权利要求1或3所述的锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，所述粗磨的具体步骤为：使用100～500目的防水耐磨的碳化硅砂纸打磨，打磨速度为250～350r/min，打磨时间为15～40min。
5.如权利要求1或3所述的锗锑硒碲靶材金相显...
【技术特征摘要】
1.一种锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，所述氯酸钾、氢氧化钠、水的质量比为3～6: 1 :10～20。
3.如权利要求1所述的锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，所述粗磨、精磨、粗抛、精抛在自动磨抛机中进行。
4.如权利要求1或3所述的锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，所述粗磨的具体步骤为：使用100～500目的防水耐磨的碳化硅砂纸打磨，打磨速度为250～350r/min，打磨时间为15～40min。
5.如权利要求1或3所述的锗锑硒碲靶材金相显示的方法，其特征在于，所述精磨的具体步骤为：使用500～900目的砂纸对粗磨后的试样表面进行精磨，精磨转速为25...
【专利技术属性】
技术研发人员：张绍桢，文崇斌，肖翀，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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