高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器及制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器及制备方法，所述带通光电探测器包括：光活性层、设置于所述光活性层上表面的光过滤层、设置于所述光过滤层之上的第一电极层、设置于所述光活性层之下的第二电极层；所述光过滤层的光致发光量子产率与光过滤层漏向光活性层的荧光泄露比的乘积小于0.1％；光过滤层材料的禁带宽度小于干扰光的光子能量，所述光过滤层材料的禁带宽度大于所述激发光的光子能量，光活性层材料的禁带宽度小于激发光的光子能量；所述干扰光是波长小于预设响应波长范围的波长下限值的光；所述激发光是波长在所述响应波长范围内的光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光探测领域，尤其涉及一种高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器及制备方法。

技术介绍

1、带通光电探测器是一种检测特定波长范围光信号的装置，在成像系统，生物医学传感和光通信等领域具有广泛应用价值。目前，带通光电探测器主要是通过光学滤光片和宽带光电探测器的组合使用来实现，但这种设计不仅增加了器件的结构复杂性和成本，而且其额外的界面散射和滤波损失限制了光电探测器的探测灵敏度。因此开发一种高集成化、超小型化的无滤光装置带通光电探测器在未来具有巨大的应用前景。到目前为止，无外置滤光片带通光电探测器在传统无机半导体，新型有机半导体中都有报道。其原理包括：(1)等离子体效应光场调节，(2)电荷收集窄化效应(charge collection narrowing,ccn)，(3)激子解离窄化效应(exciton dissociation narrowing,edn)等。其中，基于等离子体效应的带通探测器设计通常面临设计复杂和成本较高等问题；基于电荷收集窄化效应的带通探测器设计通常需要牺牲探测灵敏度来实现光谱抑制，其光谱抑制比(spectralreject本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料包括光致发光量子产率小于3.5％的材料。

3.如权利要求1所述的高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料中添加有荧光淬灭剂。

4.如权利要求1所述的高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料包括具有荧光自吸收特性的材料。

5.如权利要求2所述的高光谱抑制比的无外置滤光片的带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料包...

【技术特征摘要】

1.一种高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料包括光致发光量子产率小于3.5％的材料。

3.如权利要求1所述的高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料中添加有荧光淬灭剂。

4.如权利要求1所述的高光谱抑制比的无外置滤光片带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料包括具有荧光自吸收特性的材料。

5.如权利要求2所述的高光谱抑制比的无外置滤光片的带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料包括有机染料、有机色素、有机聚合物和/或有机薄膜。

6.如权利要求3所述的高光谱抑制比的无滤光装置带通光电探测器，其特征在于，所述光过滤层的材料包括：钙钛矿材料、类钙钛矿结构材料、量子点...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔺云，彭欣欣，陈逸夫，袁永波，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：