【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料制备,具体涉及一种石墨化碳材料及其制备方法。
技术介绍
1、随着微电子器件向小型化和高密度集成化方向发展,信号传输向高频、高速方向发展,电子器件的散热问题越来越重要。据报道,5g中电子设备的散热比4g中高3倍。因此,开发高效的导热材料对于大功率电子器件和便携式器件是必不可少的。而薄膜碳材料因其高的导热、导电、力学强度和模量等特点,被广泛应用于各种电子器件中。并且,与铜或铝等金属材料相比,薄膜碳材料具有更轻的重量,被认为是非常具有应用前景的导热材料。石墨化程度的增加有利于提高薄膜碳材料的导热、导电、以及抗震动性能,因此,制备高取向的薄膜碳材料是一个具有重要意义的研究方向。
2、模板法(包括在晶体衬底或晶种上的外延生长)常被用来制备有序材料,但是在制备高质量薄膜碳材料方面的研究较少。目前薄膜碳材料的合成通常需要高温和高压的结合(高定向热解石墨,hopg),例如cn112813496a公开了一种高定向热解石墨的制备方法,所述制备方法包括:将石墨基体首先浸泡于预处理液中,取出后晾干,然后采用化学沉积法,通入甲烷和氮
...【技术保护点】
1.一种石墨化碳材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述石墨烯材料包括CVD石墨烯、氧化石墨烯或剥离得到的石墨烯中的任意一种或至少两种的组合,优选CVD石墨烯和/或氧化石墨烯。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述缺陷化处理和/或杂原子处理包括化学法处理、等离子体处理或臭氧处理中的任意一种或至少两种的组合,优选臭氧处理;
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理的等离子气体包括氢气、氮气、氧气或氩气中的任意一种或至少两种的组合;
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种石墨化碳材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述石墨烯材料包括cvd石墨烯、氧化石墨烯或剥离得到的石墨烯中的任意一种或至少两种的组合,优选cvd石墨烯和/或氧化石墨烯。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述缺陷化处理和/或杂原子处理包括化学法处理、等离子体处理或臭氧处理中的任意一种或至少两种的组合,优选臭氧处理;
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理的等离子气体包括氢气、氮气、氧气或氩气中的任意一种或至少两种的组合;
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述臭氧处理的设备为紫外臭氧清洗机;
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