集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述氮化铝兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的中心处设置有空腔；氮化铝薄膜，位于衬底的上表面上并包括覆盖在所述空腔上方的第一部分和覆盖在衬底上除空腔之外的第二部分；谐振体，所述谐振体包括位于第一部分上表面的顶部叉指电极和位于下表面上的底部叉指电极；声学反射器，所述声学反射器包括位于第二部分的上表面上并且间隔设置的多个金属条。本发明专利技术提供的集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器，具有高品质因数和散热性能好的特点，能够实现高频的新型侧向支撑轴结构的谐振器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频mems器件领域，具体涉及一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法。

技术介绍

1、移动通信技术的迅速发展不断推动组件性能和系统集成方面的创新。为了获得更快的信号处理速度和降低系统的集成复杂度，小型化以及互补金属氧化物半导体(cmos)兼容的微机电系统(mems)压电谐振器有望成为新一代器件(滤波器、振荡器等)的驱动核心。因此，高性能mems谐振器技术作为先进无线通信系统的射频(rf)前端中的基本组件是高度需求的。在众多的微机电谐振器技术中，氮化铝兰姆波谐振器(al n lamb waveresonators，lwr)由于结合了声表面波(saw)和体声波(baw)的优点，具有在单片上实现高频率和多频段集成的能力，因而引起了人们的极大关注。

2、氮化铝lamb谐振器因为其材料特性对温度的敏感性，谐振器的谐振频率会随着温度变化而变化，温度越大，频率越不稳定，在实际应用中对器件的不利影响就越大，控制谐振器工作时的温度成为一个提高谐振器性能的技术方法。

3、此外，在实际的加工过程中，因为复合薄膜中存在较高的应力，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，所述氮化铝兰姆波谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

4.根据权利要求1-3中任一项所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

8.一种根据权利要求1-7中任一项所述的氮化铝兰姆波谐振器的制备...

【技术特征摘要】

1.一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，所述氮化铝兰姆波谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

4.根据权利要求1-3中任一项所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的氮化铝兰姆波谐振器，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：赵继聪，叶文淏，孙泽鑫，吕世涛，孙海燕，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：