原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷技术

本发明专利技术公开一种原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷，属于陶瓷流延成型技术领域。该氮化铝陶瓷的制备方法，包括：将氮化铝粉体溶于第一乙醇中，之后继续添加钇盐和第一分散剂，之后调节pH值至6.5‑10.5，之后搅拌反应得到表面包覆有钇盐的氮化铝粉体；将表面包覆有钇盐的氮化铝粉体煅烧得到表面原位包覆有氧化钇的氮化铝粉体；将表面原位包覆有氧化钇的氮化铝粉体、溶剂、第二分散剂、塑性剂和粘结剂混合并进行球磨得到陶瓷浆料；通过流延成形机对所述陶瓷浆料进行流延成形，制得氮化铝陶瓷生坯；将氮化铝陶瓷生坯依次进行脱脂和烧结制得氮化铝陶瓷。本发明专利技术提出的制备方法得到的氮化铝陶瓷具有优异的力学和热学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷流延成型，具体涉及一种原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷。

技术介绍

1、氮化铝陶瓷(aluminum nitride ceramic)是以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷。ain晶体以(ain4)四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成al 65.81％，n34.19％，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)x10-6/℃，多晶ain热导率达260w/(m.k)。氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。氮化铝陶瓷在现代电子工业领域应用广泛，氮化铝陶瓷基板是氮化铝陶瓷的应用最广泛的加工部件，制备氮化铝基板的最主流的方式是流延成型，流延成型制备氮化铝不仅加工效率高，成形生坯强度高、且可加工性强。

2、氮化铝陶瓷作为典型的非氧化物陶瓷，其烧结活性较低，纯氮化铝粉体或流延成型氮化铝陶瓷生坯难以烧结，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，在步骤S1中，所述钇盐为硝酸钇、硫酸钇和氯化钇中的一种或者多种；和/或，所述第一分散剂为油酸、硬脂酸和聚丙烯酸铵中的一种或者多种；所述第一分散剂的添加量为所述陶瓷粉体质量的2-5％。

3.根据权利要求1所述的原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，在步骤S1中，所述氮化铝粉体和所述第一乙醇的质量比为1:(10-30)；和/或，所述煅烧的时间为120-240min。

4.根据权利要求1所述的原位化学...

【技术特征摘要】

1.一种原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，在步骤s1中，所述钇盐为硝酸钇、硫酸钇和氯化钇中的一种或者多种；和/或，所述第一分散剂为油酸、硬脂酸和聚丙烯酸铵中的一种或者多种；所述第一分散剂的添加量为所述陶瓷粉体质量的2-5％。

3.根据权利要求1所述的原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，在步骤s1中，所述氮化铝粉体和所述第一乙醇的质量比为1:(10-30)；和/或，所述煅烧的时间为120-240min。

4.根据权利要求1所述的原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，在步骤s1中，在50-100℃下搅拌反应的时间为4-8h，搅拌反应的搅拌速度为400-800rpm。

5.根据权利要求1所述的原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，在步骤s2中，所述溶剂为第二乙醇和丁酮的混合物，所述第二乙醇和所述丁酮的体积比为(4-7):(3-6)；所述氮化铝粉、所述溶剂、所述第二分散剂、所述塑性剂和所述粘结剂的质量比为50:...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志哲，周士翔，胡奇佳，冷迪飞，张口笑，邱赛西，
申请(专利权)人：湖北芯中达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：