【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种用于传感器装置的校准设备和包括其的系统。
技术介绍
1、在使用等离子体执行半导体工艺的半导体处理设备中，可能有必要准确地控制形成在诸如晶圆的工艺对象上的等离子体的厚度和密度，以改进良率。为了使等离子体的厚度和密度形成为期望的水平，在半导体工艺之前通过半导体处理装置的观察口观测等离子体的同时，可调节半导体处理装置的控制变量。然而，可能难以通过经由观察口观测等离子体来准确地确定等离子体的厚度和密度，因此，在实际半导体工艺期间等离子体的厚度和密度可能无法准确地形成为期望的值。
技术实现思路
1、本公开涉及一种校准设备和包括其的系统，该校准设备可改进插入到半导体处理设备中的传感器装置的性能并且在执行半导体工艺之前收集表示半导体处理设备中形成的等离子体的特性的原始数据。
2、在一些实施方式中，一种传感器装置的校准设备包括：壳体，其通过阻挡来自外部的光来提供暗室空间；照明单元，其安装在暗室空间中并且被配置为输出特定波长带的光；载物台，被配置为在至少一个测量位置中检测照明单元所...
【技术保护点】
1.一种传感器装置的校准设备，该校准设备包括：
2.根据权利要求1所述的校准设备，其中，当所述传感器装置包括两个或更多个测量位置时，生成所述校准数据包括：减小在所述两个或更多个测量位置处测量的光的强度的差异。
3.根据权利要求2所述的校准设备，其中，所述操作包括使用在所述两个或更多个测量位置处测量的光的强度来选择参考强度，并且其中，生成所述校准数据基于在所述两个或更多个测量位置中的每个测量位置处测量的光的强度与所述参考强度之间的差。
4.根据权利要求3所述的校准设备，其中，所述操作包括：
5.根据权利要求3所述的校准设备...
【技术特征摘要】
1.一种传感器装置的校准设备，该校准设备包括：
2.根据权利要求1所述的校准设备，其中，当所述传感器装置包括两个或更多个测量位置时，生成所述校准数据包括：减小在所述两个或更多个测量位置处测量的光的强度的差异。
3.根据权利要求2所述的校准设备，其中，所述操作包括使用在所述两个或更多个测量位置处测量的光的强度来选择参考强度，并且其中，生成所述校准数据基于在所述两个或更多个测量位置中的每个测量位置处测量的光的强度与所述参考强度之间的差。
4.根据权利要求3所述的校准设备，其中，所述操作包括：
5.根据权利要求3所述的校准设备，其中，所述操作包括确定以下中的一者：在所述两个或更多个测量位置当中的参考位置中测量的光的强度、在所述两个或更多个测量位置中测量的光的强度的平均值、最小值和最频繁值。
6.根据权利要求3所述的校准设备，其中，所述操作包括根据所述照明单元的规格确定所述参考强度。
7.根据权利要求1所述的校准设备，其中，当所述传感器装置包括单个测量位置时，生成校准数据包括：减小在所述单个测量位置中测量两次或更多次的光的强度之间的差。
8.根据权利要求1所述的校准设备，其中，所述照明单元输出的光的波长带被包括在100nm至3um的波长带中。
9.根据权利要求1所述的校准设备，其中，所述处理器被配置为使所述载物台、所述照明单元、或所述载物台和所述照明单元移动，使得所述照明单元所输出的光进入所述至少一个测...
【专利技术属性】
技术研发人员：全兑祚，高慈远，李钟和，郑胤松，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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