【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过图案化工艺(诸如光刻)来维持设备制造中的性能的量测方法。本专利技术还涉及使用光刻技术制造设备的方法。本专利技术还涉及用于实施这类方法的计算机程序产品。
技术介绍
1、光刻工艺是这样一种工艺，其中光刻装置将期望的图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上，之后各种处理化学和/或物理处理步骤通过图案创建复杂产品的功能性特征部。将图案精确地放置在衬底上是减小电路组件和其他可以通过光刻生产的产品的大小的主要挑战。特别地，精确测量已经放置的衬底上的特征部的挑战是能够足够精确地以叠加方式定位连续的特征部层以高产量生产工作设备的关键步骤。感兴趣的一个特别重要的参数是套刻(overlay)，在当今的亚微米半导体设备中，套刻通常应当被控制在几十纳米之内，在最关键的层中可以降低到几纳米。
2、模型可用于从使用量测设备测量的测量信号中推断感兴趣的参数。这类模型可以是数据驱动的，并且根据具有相关参考值的测量数据进行训练。然而，光刻工艺有漂移的趋势，因此这些模型可以需要定期重新训练。
3、期望改进这类模型的重新训练。<
【技术保护点】
1.一种训练或配置第二模型以从一个或多个测量信号推断感兴趣的参数的方法，所述第二模型包括第一模型的更新，所述第一模型与第一工艺范围相关，并且已经使用与已经在第一时间段中曝光的第一结构集相关的第一测量信号集而被训练；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值余量由一致性参数定义。
3.根据权利要求2所述的方法，包括选择或调谐所述一致性参数，以选择或调谐所述第一模型与所述第二模型之间的一致性。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二时间段在所述第一时间段之后。
5.根据前述权利要求中任一项所述的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种训练或配置第二模型以从一个或多个测量信号推断感兴趣的参数的方法，所述第二模型包括第一模型的更新，所述第一模型与第一工艺范围相关，并且已经使用与已经在第一时间段中曝光的第一结构集相关的第一测量信号集而被训练；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值余量由一致性参数定义。
3.根据权利要求2所述的方法，包括选择或调谐所述一致性参数，以选择或调谐所述第一模型与所述第二模型之间的一致性。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二时间段在所述第一时间段之后。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述训练包括：最小化所述成本函数，以便将所述感兴趣的参数的推断值与所述感兴趣的参数的相应的参考值之间的差值最小化，所述感兴趣的参数的推断值针对使用所述第二模型的所述第二测量信号集的每个测量信号。
6.根据权利要求5所述的方法，其中经最小化的所述差值是均方差值。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括以下步骤：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·博特加尔，曹鑫罡，F·加西亚·弗洛雷斯，T·T·T·乌，曾嘉铧，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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