半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法技术

本公开涉及一种半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法，包括：衬底；设置在衬底上的化合物半导体复合结构，该化合物半导体复合结构包括第一半导体层以及设置在第一半导体层上的第二半导体层，且第一半导体层和第二半导体层形成具有二维电子气的异质结；设置在化合物半导体复合结构的相对两侧的两个电极区，其从第一半导体层内向化合物半导体复合结构远离衬底的一侧延伸；电极区包括靠近化合物半导体复合结构的第一掺杂区和远离化合物半导体复合结构的第二掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区和化合物半导体复合结构之间，第一掺杂区的导电性大于第二掺杂区的导电性。该半导体外延结构可以降低导通电阻的同时保证半导体外延结构的外延品质。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般地涉及半导体。更具体地，本公开涉及一种半导体外延结构、hemt器件和半导体外延结构的制备方法。

技术介绍

1、作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(gan)具有许多优良的特性，高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于氮化镓的第三代半导体器件，如高电子迁移率晶体管(hemt)、异质结场效应晶体管(hfet)等已经得到了应用，尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。

2、实现hemt器件高性能的关键要素之一是降低接触电阻，然而，现有技术为了降低接触电阻而牺牲了器件的外延品质，因此，如何保证外延品质的同时降低接触电阻成为了亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、为了解决上述部分或全部问题，本公开提供了一种半导体外延结构、hemt器件和半导体外延结构的制备方法，可以降低电极导电电阻的同时保障外延品质，提升器件的稳定性。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体外延结构，其包括：衬底；设置在所述衬底上的化合物半导体复合结构，该化合物半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，两个电极区，包括：一个第一电极区和一个第二电极区；

3.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述电极区具有第一导电类型的导电掺杂介质；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的导电掺杂介质相同的情况下，所述第一掺杂区的导电介质掺杂浓度大于第二掺杂区的导电掺杂介质掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一掺杂区从所述二维电子气靠近所述衬底的一侧向所述化合物半导体复合结构远离所述衬底的一侧延伸，且所述第一掺杂区与所述二维电子气连接...

【技术特征摘要】

1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，两个电极区，包括：一个第一电极区和一个第二电极区；

3.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述电极区具有第一导电类型的导电掺杂介质；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的导电掺杂介质相同的情况下，所述第一掺杂区的导电介质掺杂浓度大于第二掺杂区的导电掺杂介质掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一掺杂区从所述二维电子气靠近所述衬底的一侧向所述化合物半导体复合结构远离所述衬底的一侧延伸，且所述第一掺杂区与所述二维电子气连接。

5.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述化合物半导体复合结构包括相对的第一表面和第二表面，以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧壁；所述第一掺杂区位于所述衬底与所述二维电子气之间，所述半导体外延结构还包括：第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区相交且与所述化合物半导体复合结构对应的侧壁相接。

6.根据权利要求5所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一掺杂区的第一厚度大于所述第三掺杂区的第二厚度，所述第一厚度方向为所述衬底到所述化合物半导体复合结构的方向，所述第二厚度方向为两个所述电极区的布置方向。

7.根据权利要求1或5所述的半导体外延结构，其特征在于，所述电极区的第一厚度为10-100nm，所述第一掺杂区的第一厚度小于或等于10nm，所述第一厚度方向为所述衬底到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周以伦，陈帅，叶念慈，周丽莎，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：