半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：基板；第一下图案，在基板上；第二下图案，在第一下图案上；沟道图案，在第二下图案上；第一场绝缘层，在第一下图案的第一侧表面上；第二场绝缘层，在第一下图案的第二侧表面上；掩埋绝缘结构，在第一场绝缘层上并且在沟道图案的侧表面上；保护层，在第二场绝缘层上；源极/漏极图案，在每个沟道图案的相反两侧；以及栅电极，在沟道图案和掩埋绝缘结构周围延伸，其中保护层包括：在第一下图案和第二下图案之间以及在栅电极和第二场绝缘层之间的保护绝缘层；以及在保护绝缘层周围延伸的保护衬垫。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体器件。

技术介绍

1、半导体是属于导体和非导体之间的中间类别的材料，并且是指在预定条件下导电的材料。这样的半导体材料可以用于制造各种半导体器件，例如用于制造存储器件等。这些半导体器件可以用于各种电子装置中。

2、随着电子工业已经高度发展，对半导体器件的特性的需求已经逐渐增加。例如，对具有更高可靠性、更高速度和/或更多功能的半导体器件的需求已经逐渐增加。为了获得这些所需的特性，半导体器件中的结构已经逐渐变得复杂并以更高的密度集成。随着晶体管的尺寸减小，可能发生元件之间的耦合，从而半导体器件的可靠程度可能降低，同时半导体器件的操作速度可能降低。

技术实现思路

1、本公开可以提供具有提高的可靠性的半导体器件。

2、本公开的一实施方式可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的第一下图案；在第一下图案上的第二下图案；在第二下图案上的沟道图案；在第一下图案的第一侧表面上的第一场绝缘层；在第一下图案的第二侧表面上的第二场绝缘层；在第一场绝缘层上并且在沟道图案的侧表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中

10.一种半导体器件，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中

12.根据权利要求11...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中

10.一种半导体器件，包括：

11.根据权利要求10...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴雨锡，柳太贤，李南玹，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：