一种ZnBiMnGeO基压敏陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种ZnBiMnGeO基压敏陶瓷材料及制备方法。该材料由O、Zn、Bi、Mn和Ge五种元素组成，在Zn、Bi、Mn和Ge四种元素总摩尔数为100％的条件下，Bi、Mn和Ge三种元素的摩尔百分比分别为：0.5～5％、1～4％、0.05～0.5％，其余为Zn元素。制备时采用传统固相烧结工艺，烧结温度875～1000℃，保温时间1～6小时，得到的材料压敏电压为120V/mm～340V/mm，非线性系数α大于40，漏电流密度J<subgt;L</subgt;小于10μA/cm<supgt;2</supgt;。本发明专利技术的ZnO基压敏陶瓷，组分简单，性能良好，漏电流小，可减少ZnO基压敏电阻在使用过程中的无功损耗，有利于降低ZnO基压敏电阻的生产及应用成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷制备，具体涉及一种znbimngeo基压敏陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

1、zno基压敏陶瓷是一种内电阻可随外加电压相对于某一临界电压(即所谓压敏电压)的高低发生反复突变的非线性电阻材料。当外加电压低于压敏电压时，zno基压敏陶瓷的内电极非常大，类似于绝缘态体；当高外加电压高于压敏电压，其内电阻会在瞬时减少至近似导体状态。基于这一特性，以zno压敏陶瓷为主体制成的zno基压敏电阻常以与被保护电路或器件并联的方式接入电路，用以防止异常浪涌电压对被保护电路或器件的损害。目前，zno基压敏电阻的应用范围已经覆盖了低压、中压和高压等几乎所有的电子及电气领域，成为世界上用量最大的异常电压浪涌保护器件。

2、所有zno基压敏陶瓷均以zno粉体为主要原料。在此基础上，常见高性能zno基压敏陶瓷中还需进一步填加bi2o3、v2o5、pr2o3(pr6o11)、cr2o3、sb2o3、mno2、co2o3、nb2o5、cao，以及各类稀土氧化物等多种掺杂物，最终导致大多数高性能zno基压敏陶瓷的组分往往会多达6种甚至更多。zno基压敏陶瓷的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ZnBiMnGeO基压敏陶瓷材料，其特征在于，该材料由O、Zn、Bi、Mn和Ge五种元素组成，在Zn、Bi、Mn和Ge四种元素总摩尔含量为100％的条件下，Bi、Mn和Ge三种元素的摩尔百分比分别为：0.5～5％、1～4％、0.05～0.5％，其余为Zn元素。

2.根据权利要求1所述的ZnBiMnGeO基压敏陶瓷材料，其特征在于，所述的压敏陶瓷材料的原料为Zn、Bi、Mn、Ge四种金属元素的氧化物、碳酸盐、硝酸盐、醋酸盐或氢氧化物。

3.一种权利要求1所述的的ZnBiMnGeO基压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，按压敏陶瓷材料中Zn、Bi、Mn和Ge四种...

【技术特征摘要】

1.一种znbimngeo基压敏陶瓷材料，其特征在于，该材料由o、zn、bi、mn和ge五种元素组成，在zn、bi、mn和ge四种元素总摩尔含量为100％的条件下，bi、mn和ge三种元素的摩尔百分比分别为：0.5～5％、1～4％、0.05～0.5％，其余为zn元素。

2.根据权利要求1所述的znbimngeo基压敏陶瓷材料，其特征在于，所述的压敏陶瓷材料的原料为zn、bi、mn、ge四种金属元素的氧化物、碳酸盐、硝酸盐、醋酸盐或氢氧化物。

3.一种权利要求1所述的的znbimngeo基压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，按压敏陶瓷材料中zn、bi、mn和ge四种元素的摩尔比称取...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鸣，陈苗苗，刘卓承，崔承昊，陈华，杜永胜，
申请(专利权)人：内蒙古科技大学，
类型：发明
国别省市：