超级结器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种超级结器件，包括衬底，在衬底上形成有外延层，外延层上形成至少两个第一沟槽；在第一沟槽的底部形成有第二沟槽；在第二沟槽中形成有P柱，P柱的顶端高于第一沟槽的底端；在P柱上形成有隔离介质层，在第一沟槽的侧壁形成有栅极电介质层；非P柱引出端区域上的第一沟槽中形成有栅极多晶硅层；在外延层上形成的阱区和源区；在外延层上形成接触孔介质层，在接触孔介质层形成有第一至三接触孔，第一接触孔的底端与栅极多晶硅层相连通，第二接触孔的底端与P柱引出端区域中的P柱连通。本发明专利技术器件的最小线宽仅由P柱和Mesa区域定义，能够减小元胞尺寸，进一步增加器件集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种超级结器件及其制造方法。

技术介绍

1、现有技术中的超级结的结构如图1所示：栅多晶硅和p柱横向分布，不利于元胞尺寸进一步降低(最小尺寸＝p柱+mesa+多晶硅线宽)。

2、为解决上述问题，需要提出一种新型的超级结器件及其制造方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种超级结器件及其制造方法，用于解决现有技术中栅多晶硅和p柱横向分布，不利于元胞尺寸进一步降低的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种超级结器件，包括：

3、衬底，在所述衬底上形成有外延层，所述外延层上形成至少两个第一沟槽；

4、在所述第一沟槽的底部形成有第二沟槽；

5、在所述第二沟槽中形成有p柱，所述p柱的顶端高于所述第一沟槽的底端；

6、在所述p柱上形成有隔离介质层，在所述第一沟槽的侧壁形成有栅极电介质层；非p柱引出端区域上的所述第一沟槽中形成有栅极多晶硅层；</p>

7、在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超级结器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述P柱由外延生长形成。

3.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述隔离介质层的材料为氧化层。

4.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述栅极电介质层的材料为氧化层。

5.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述器件还包括在所述衬底的背面形成漏区金属层。

6.根据权利要求1至5任一项所述超级结器件的制造方法，其特征在于，至少包括：

7.根据权利要求6所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述...

【技术特征摘要】

1.一种超级结器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述p柱由外延生长形成。

3.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述隔离介质层的材料为氧化层。

4.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述栅极电介质层的材料为氧化层。

5.根据权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述器件还包括在所述衬底的背面形成漏区金属层。

6.根据权利要求1至5任一项所述超级结器件的制造方法，其特征在于，至少包括：

7.根据权利要求6所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述掩模层为ono层，所述ono层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层、第二氧化层组成。

8.根据权利要求6所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的形成所述第一沟槽的方法包括：在所述掩模层上形成光刻胶层；光刻打开所述光刻胶层以定义出第一沟槽的形成位置；去除光刻胶层；利用刻蚀在所述外延层上形成所述第一沟槽。

9.根据权利要求6所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述第一侧墙的材料为氮化硅。

10.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜树范，刘须电，王飞，祝志敏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：