一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜、制备方法及应用技术

本发明专利技术属于可再生能源利用和碳循环领域，具体涉及一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜、制备方法及应用。一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：将氧化石墨烯溶于溶剂，得到氧化石墨烯溶液，调节pH，将有机半导体和锌粉分别加入氧化石墨烯溶液混合，得到混合溶液，进行超声，去除未反应的锌粉，进行洗涤过滤，得到滤饼，经过真空冷冻干燥得到有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料；S2：将S1得到的有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料和I<subgt;2</subgt;加入丙酮中，经过超声清洗，得到电沉积溶液，将导电玻璃清洗烘干，置于电沉积溶液中，通过沉积得到有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于可再生能源利用和碳循环领域，具体涉及一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜、制备方法及应用。

技术介绍

1、温室气体co2来源于煤、石油和天然气等化石能源，若不加以控制，未来必将会危及人类的生存和发展。因此，消除温室气体co2，并实现能源化利用是目前人们迫切需要解决的两大难题，而解决方案之一即采用清洁的太阳能及其衍生的电能，将co2转化为能源燃料，从而实现清洁能源利用和碳循环。

2、二氧化碳还原(co2rr)技术可以将co2转化为co、hcooh、ch4、甲醇等可利用的化学燃料。目前，利用清洁能源的co2rr技术可分为光催化和电催化两类。光催化还原co2技术虽然节能，但效率与选择性均较差，且光催化剂以粉末材料居多，限制了催化剂的回收利用；电催化还原co2技术虽然效率高，但是需要施加过高的电压，能耗过高，且基本以金属基和无极半导体为主，选择性较差。光电催化技术不仅可以利用光能降低能源损耗，同时可以通过施加一定的偏压提升半导体的光生载流子分离和传输效率；尤其在有机半导体中可以实现还原态或氧化态的再激发，以达到co2rr所需的超低还本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，S1中所述的氧化石墨烯和有机半导体以及锌粉的质量比为2：1～3：4。

3.根据权利要求1所述的一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，S1中所述的有机半导体为吡咯并吡咯二酮衍生物、苝二酰亚胺衍生物中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，S1中所述的pH为2，超声时间为1min，真空冷冻干燥时...

【技术特征摘要】

1.一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，s1中所述的氧化石墨烯和有机半导体以及锌粉的质量比为2：1～3：4。

3.根据权利要求1所述的一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，s1中所述的有机半导体为吡咯并吡咯二酮衍生物、苝二酰亚胺衍生物中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，s1中所述的ph为2，超声时间为1min，真空冷冻干燥时间为48h。

5.根据权利要求1所述的一种有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料薄膜的制备方法，s2中所述的i2与有机半导体/还原氧化石墨烯复合材料的质量比为1～3：2～5。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨龙，徐阳鸿，唐浩鹏，易雷，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：

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