有机电致发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及其制造方法，其中方法包括：步骤１、在基板上形成第一电极；步骤２、在基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用掩模板对正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保留正性光刻胶，形成绝缘层图形；步骤３、在经过步骤２的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对步骤３中形成的正性光刻胶进行曝光和显影，形成隔离柱图形；步骤４、在经过步骤３之后的基板上形成有机材料层；步骤５、在经过步骤４之后的基板上形成第二电极。该方法避免采用价格昂贵的光敏性有机绝缘材料，能够降低绝缘层的生产成本，并克服绝缘层和隔离柱之间由于材料差异导致的接触不稳定的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板显示
，尤其涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件又称为有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，简称 OLED)，是一种新型的平板显示器件，与液晶显示器件相比，OLED具有主动发光、高亮度、超 薄、低功耗、大视角以及工作温度范围宽等诸多优点。 在OLED器件的结构中，绝缘层是不可或缺的部分之一，绝缘层的作用包括限制像素面积大小、确定显示单元像素准确位置以及阻止阴极和阳极之间发生短路等。 通常，在OLED器件的制备过程中，在基板上涂敷光敏性聚酰亚胺(ployimide，简称PI)，通过掩模板对光敏性PI曝光、显影，形成绝缘层图形，然后在绝缘层上制备隔离柱。PI是一种有机绝缘材料，可以用作OLED器件中的绝缘层。 现有技术制备OLED器件的工艺，由于直接对形成绝缘层的材料曝光来获得绝缘 层图形，所以需要用到光敏性有机绝缘材料，但是光敏性PI价格昂贵，对于降低OLED器件 生产成本不利；并且，通常绝缘层和隔离柱的材料不同，会造成隔离柱和绝缘层之间的接触 不稳定，从而影响OLED器件的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在针对现有技术中存在的问题，提供一种OLED及其制造方法，避免 采用价格昂贵的光敏性有机绝缘材料，并克服绝缘层和隔离柱之间由于材料差异导致的接 触不稳定的问题。 为了实现上述目的，本专利技术提供了一种有机电致发光器件制造方法，包括 步骤1、在基板上形成第一电极； 步骤2、在形成有所述第一电极的基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性 光刻胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀， 并保留正性光刻胶，形成绝缘层图形； 步骤3、在经过所述步骤2的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对所述步骤3中形成的正性光刻胶进行曝光和显影，形成隔离柱图形；步骤3中形成的正性光刻胶的材料与步骤2中形成的正性光刻胶材料相同； 步骤4、在经过所述步骤3之后的基板上形成有机材料层； 步骤5、在经过所述步骤4之后的基板上形成第二电极。 为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包括 第一电极，设置在基板上； 绝缘层，设置在形成有所述第一电极的基板上； 正性光刻胶，设置在所述绝缘层上； 隔离柱，设置在所述正性光刻胶上，所述隔离柱的材料与所述正性光刻胶相同；3 有机材料层，形成在所述隔离柱、正性光刻胶以及所述第一电极上； 第二电极，形成在所述有机材料层上。 本专利技术提供的，在形成有第一电极的基板上连续 形成普通的非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对正 性光刻胶曝光，然后显影刻蚀，形成绝缘层图形，这样就避免了采用价格昂贵的光敏性有机 绝缘层材料，可以降低有机电致发光器件中绝缘层部分的成本，从而降低整个有机电致发 光器件的成本，并且隔离柱的材料与形成在隔离柱之下的正性光刻胶的材料是相同的，可 以避免由于隔离柱和绝缘层材料差异导致的接触不稳定，有利于提高有机电致发光器件的 稳定性。 下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。 附图说明 图1所示为本专利技术有机电致发光器件制造方法中形成第一电极之后的结构示意 图； 图2所示为本专利技术有机电致发光器件制造方法中形成绝缘层之后的结构示意图； 图3所示为本专利技术有机电致发光器件制造方法中形成隔离柱之后的结构示意图； 图4所示为本专利技术有机电致发光器件制造方法中形成第二电极之后的结构示意 图。具体实施例方式本专利技术提供的0LED制造方法包括如下步骤 步骤1、在基板上形成第一电极； 步骤2、在形成有第一电极的基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻 胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保 留正性光刻胶，形成绝缘层图形； 步骤3、在经过步骤2的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对 步骤3中形成的正性光刻胶进行曝光，形成隔离柱图形；步骤3中形成的正性光刻胶的材料 与步骤2中正性光刻胶的材料相同； 步骤4、在经过步骤3之后的基板上形成有机材料层； 步骤5、在经过步骤4之后的基板上形成第二电极。 该方法与现有技术中的0LED制造方法的区别在于本专利技术提供的0LED制造方 法，在形成绝缘层时，先在形成有第一电极的基板上形成一层非光敏性的普通的有机绝缘 材料，然后在非光敏性的普通有机绝缘材料上形成正性光刻胶，通过对正性光刻胶曝光，然 后显影和刻蚀，来得到绝缘层的图形。采用这种方法，可以不需要采用价格昂贵的光敏性有 机绝缘材料，而只是用价格相对较低的普通有机绝缘材料即可形成绝缘层，这样可以降低 0LED中绝缘层部分的成本，从而降低整个OLED的成本。而现有技术中，在形成绝缘层时， 只在基板上形成一层光敏性有机绝缘层材料，通过对光敏性有机绝缘层材料直接曝光，然 后显影刻蚀，形成绝缘层图形，这样的工艺，必然要求绝缘层材料是光敏性的，从而造成了 0LED中绝缘层部分成本的增加。另外，在步骤2中正性光刻胶需要保留，步骤3中在步骤2形成的正性光刻胶上形成隔离柱，而隔离柱的材料与步骤2中的正性光刻胶的材料是相同的，这样可以避免由于绝缘层与隔离柱的材料差异导致的接触不稳定。 下面结合具体的工艺来说明本专利技术0LED制造方法的实现过程。 步骤l具体为在基板上制备一层厚度为50 200nm的氧化铟锡(ITO)薄膜，然后在ITO薄膜上涂布一层光刻胶，对光刻胶预烘烤，利用能够形成第一电极图形的掩模板对光刻胶进行曝光，再将感光部分的光刻胶通过显影去掉，显影后的光刻胶的图形与第一电极的图形是一致的。然后，将未被光刻胶保护的ITO薄膜刻蚀掉，形成第一电极的图形。第一电极是阳极，也可以是阴极，通常用ITO作为阳极材料。如图l所示为本专利技术有机电致发光器件制造方法中形成第一电极之后的结构示意图，第一电极2呈条形，平行设置在基板1上。 步骤2具体为在经过步骤1之后的基板上旋涂一层非光敏性的普通有机绝缘层 材料，例如北京波米科技公司生产的EKPI-305IIB电子绝缘胶，对该有机绝缘层材料预烘 烤，再在非光敏性的普通有机绝缘层材料上旋涂一层正性光刻胶，对正性光刻胶预烘烤，然 后采用能够形成绝缘层图形的掩模板对正性光刻胶进行曝光，再将感光部分的正性光刻胶 显影去掉，显影后的正性光刻胶的图形与绝缘层图形是一致的。然后将未被正性光刻胶保 护的非光敏性有机绝缘层材料刻蚀掉，形成绝缘层图形，并保留正性光刻胶。为了增强绝缘 性能，可以继续在220 300摄氏度的温度下对基板进行固化烘烤30到60分钟。如图2 所示为本专利技术有机电致发光器件制造方法中形成绝缘层之后的结构示意图，普通的非光敏 性的有机绝缘层材料3和正性光刻胶4连续的形成在基板1上，绝缘层图形是形成在基板1 上的与条形的第一电极2相垂直的条形图，另外在条形的第一电极2之间的空白区域也有 绝缘层，正性光刻胶上的空白区域41即是通过绝缘层限定的像素区域，该区域41上刻蚀掉 了正性光刻胶和有机绝缘层材料，暴露出了第一电极2。 需要说明的是，步骤2中给出的绝缘层图形是一种示例，由于不同的OLED器件像 素区域设计要求不同，而绝缘层是用来限定像素区域形状的，所以绝缘层图形也会不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＯＬＥＤ显示器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：（１）在洁净的ＩＴＯ导电玻璃基板上制备ＩＴＯ阳极图形；（２）在制备好ＩＴＯ阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为０．１－１０ｎｍ的ＺｎＳｅ缓冲层；（３）在ＺｎＳｅ缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为１０－５０ｎｍＮＰＢ空穴传输层；（４）在ＮＰＢ空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为５０－８０ｎｍ的ＮＰＢ－Ｒｕｂｒｅｎｅ－Ｚｎ（ＢＴＺ）↓［２］发光层，其中Ｚｎ（ＢＴＺ）↓［２］为主体发光材料、ＮＰＢ及Ｒｕｂｒｅｎｅ为掺杂材料；（５）在ＮＰＢ－Ｒｕｂｒｅｎｅ－Ｚｎ（ＢＴＺ）↓［２］发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别０．１－５ｎｍ和４０－１００ｎｍＬｉＦ层和Ａｌ层，制成阴电极；（６）采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成ＯＬＥＤ显示器件制备。

【技术特征摘要】
一种有机电致发光器件制造方法，其特征在于，包括步骤1、在基板上形成第一电极；步骤2、在形成有所述第一电极的基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保留正性光刻胶，形成绝缘层图形；步骤3、在经过所述步骤2的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对所述步骤3中形成的正性光刻胶进行曝光和显影，形成隔离柱图形；步骤3中形成的正性光刻胶的材料与步骤2中形成的正性光刻胶材料相同；步骤4、在经过所述步骤3之后的基板上形成有机材料层；步骤5、在经过所述步骤4之后的基板上形成第二电极。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包 括在形成有所述第一电极的基板上形成非光敏性有机绝缘材料，对所述非光敏性有机绝 缘材料预烘烤，再在所述非光敏性有机绝缘材料上形成正性光刻胶，对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉林，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]