半导体结构及其制备方法、显示器件及其制备方法技术

本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法、显示器件及其制备方法。半导体结构包括：衬底；发光结构，多个发光结构间隔设置于衬底的一侧；电极层，包括第一栅极、第一电极和第二电极，第一栅极沿发光结构的侧壁延伸，第一电极位于相邻发光结构之间的衬底上，第二电极位于发光结构远离衬底的表面，第一电极与第二电极中的其中一者为第一晶体管的源极，另一者为第一晶体管的漏极；有源层，位于电极层与发光结构之间，覆盖发光结构和衬底，第一电极和第二电极连接有源层。通过将第一晶体管形成在发光结构一侧，在制备显示器件时，驱动基板上无需制备第一晶体管，简化了驱动基板的制备工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法、显示器件及其制备方法。

技术介绍

1、目前，显示器件（例如，micro led微显示屏）具有高像素密度单位、高刷新频率、尽可能多的灰阶展开、高亮度均匀性等一些列高性能需求。为了满足上述需求，常使用薄膜晶体管（thin film transistor，tft）驱动发光结构发光，从而能够实现高速响应、高亮度和高对比度的显示效果。

2、相应的，这要求显示器件的驱动基板上需要设置大量的薄膜晶体管以及配适的走线。但是，这会造成驱动基板的制备工艺非常复杂。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的驱动基板的制备工艺非常复杂的问题提供一种半导体结构及其制备方法、显示器件及其制备方法。

2、为了实现上述目的，一方面，提供了一种半导体结构，包括：

3、衬底；

4、发光结构，多个所述发光结构间隔设置于所述衬底的一侧；

5、电极层，包括第一栅极、第一电极和第二电极，所述第一栅极沿所述发光结构的侧壁延伸，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极和/或所述第一栅极呈环状。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极自所述发光结构的侧壁向两侧分别延伸至相邻所述发光结构之间的衬底以及所述发光结构远离所述衬底的表面；

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电极层还包括位于相邻所述发光结构之间的第二栅极、第三电极和第四电极，所述第二栅极连接所述第一电极，所述第三电极和第四电极连接所述有源层，所述第三电极与所述第四电极中的其中一者为第二晶体管的源极，另一者为第二晶体管的漏极...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极和/或所述第一栅极呈环状。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极自所述发光结构的侧壁向两侧分别延伸至相邻所述发光结构之间的衬底以及所述发光结构远离所述衬底的表面；

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电极层还包括位于相邻所述发光结构之间的第二栅极、第三电极和第四电极，所述第二栅极连接所述第一电极，所述第三电极和第四电极连接所述有源层，所述第三电极与所述第四电极中的其中一者为第二晶体管的源极，另一者为第二晶体管的漏极。

5.根据权利要求4所述的半导体结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：籍亚男，赵影，
申请(专利权)人：奥视微昆山科技有限公司，
类型：发明
国别省市：