一种终端复合结构及高压SIC器件制造技术

本申请公开了一种终端复合结构及高压SIC器件，属于高压SiC器件领域，包括器件单元，所述器件单元的外侧设置有场限环以及JTE终端，所述JTE终端为多级结构，所述JTE终端的级数不小于2级；所述场限环靠近所述器件单元布置，所述JTE终端的至少一级设置于所述场限环远离所述器件单元的一侧；至少所述JTE终端中设置有N+Guard Ring。采用本申请中终端复合结构及高压SIC器件的有益效果在于：采用场限环以及JTE终端的复合终端结构，提升终端效率的同时，能够提高工艺中容错率，提升功率器件的良品率和降低终端面积，提升器件的商业价值。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于高压sic器件领域，特别涉及一种终端复合结构及高压sic器件。

技术介绍

1、在追求极致性能的半导体领域，碳化硅mos终端(sic器件)以其卓越的耐压特性和高效率而备受瞩目。然而，其生产过程对光刻精度的要求极高，任何细微的工艺偏差都可能导致击穿电压的设计值与实际测量值(即设计bv)的显著偏离，从而影响整体性能。

2、jte作为终结端扩展，是一种用于提高半导体器件击穿电压的技术。通过在主结的外侧设置一个轻掺杂的p型区来调整电荷，以优化电场分布和提高器件的耐压能力。但是jte终端对掺杂激活率的敏感性不容忽视。激活效率的任何偏差都会直接影响到终端的耐压能力，进而影响器件的稳定性和可靠性。因此需要在jte终端制作中精确控制掺杂过程，严格确保激活效率的一致性，导致增加了制作难度。

3、综上所述，无论是碳化硅mos终端还是jte终端，其制造过程中对精度的要求都极为苛刻，严重影响了sic器件的制作效率以及成品率。

技术实现思路

1、为了解决所述现有技术的不足，本申请提供了一种终端复合结构及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种终端复合结构，包括器件单元，其特征在于，所述器件单元的外侧设置有场限环以及JTE终端，所述JTE终端为多级结构，所述JTE终端的级数不小于2级；所述场限环靠近所述器件单元布置，所述JTE终端的至少一级设置于所述场限环的外侧；至少所述JTE终端中设置有N+Guard Ring。

2.根据权利要求1所述的终端复合结构，其特征在于，所述场限环与所述JTE终端的最内侧一级为分离结构。

3.根据权利要求1所述的终端复合结构，其特征在于，所述场限环为多层结构，所述场限环完全加入所述JTE终端的最内侧一级。

4.根据权利要求1所述的终端复合结构，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种终端复合结构，包括器件单元，其特征在于，所述器件单元的外侧设置有场限环以及jte终端，所述jte终端为多级结构，所述jte终端的级数不小于2级；所述场限环靠近所述器件单元布置，所述jte终端的至少一级设置于所述场限环的外侧；至少所述jte终端中设置有n+guard ring。

2.根据权利要求1所述的终端复合结构，其特征在于，所述场限环与所述jte终端的最内侧一级为分离结构。

3.根据权利要求1所述的终端复合结构，其特征在于，所述场限环为多层结构，所述场限环完全加入所述jte终端的最内侧一级。

4.根据权利要求1所述的终端复合结构，其特征在于，所述场限环为多层结构，所述场限环的部分加入所述jte终端的最内侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：周霖，
申请(专利权)人：江苏昕感科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：