沉积源制造技术

沉积源包括坩埚、多个喷嘴、壳体、下部加热模块、上部加热模块、第一电极、第二电极以及供电器。坩埚收纳沉积物质。多个喷嘴配置在坩埚上。多个喷嘴沿着第一方向彼此间隔开。壳体收纳坩埚和多个喷嘴。下部加热模块配置在壳体的内部空间中且包围坩埚。上部加热模块在壳体的内部空间中配置在下部加热模块上。第一电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第一电极与下部加热模块连接。第二电极在第二方向上延伸。第二电极与上部加热模块连接。供电器与第一电极及第二电极电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及沉积源。更详细而言，本专利技术涉及线性沉积源。

技术介绍

1、显示装置可以包括多个薄膜。所述多个薄膜分别可以通过真空沉积方法、离子电镀方法、物理气相沉积方法、化学气相沉积方法等形成。

2、用于执行所述真空沉积方法的沉积装置可以包括沉积源。所述沉积源可以包括能够存储沉积物质的坩埚、能够加热所述坩埚的加热器、喷出所述沉积物质的喷嘴等。

3、若所述加热器的温度超过设定范围，则所述多个薄膜各自的膜厚度可能会超过基准厚度。例如，在所述加热器的温度过高的情况下，所述膜厚度可能会形成为比所述基准厚度厚。相反，在所述加热器的温度过低的情况下，所述膜厚度可能会形成为比所述基准厚度薄。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供改善温度梯度的沉积源。

2、但是，本专利技术的目的并不限于此，在不超出本专利技术的思想和领域的范围内可以进行各种扩展。

3、为了达成本专利技术的目的，本专利技术的实施例涉及的沉积源可以包括：坩埚，收纳沉积物质；多个喷嘴，配置在所述坩埚上且沿着第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沉积源，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的沉积源，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的沉积源，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的沉积源，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的沉积源，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，还包括：

【技术特征摘要】

1.一种沉积源，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的沉积源，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的沉积源，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：程相慜，徐敏逵，姜有珍，郑和平，徐东均，安喆焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：