发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种发光器件及其制备方法，其中，所述发光器件包括依次层叠设置的第一电极、发光层、功能层、电荷功能层、第二电极，其特征在于，所述功能层的材料包括二茂铁和/或二茂铁的衍生物。本发明专利技术中，通过在所述发光层和所述电荷功能层之间设置所述功能层，所述功能层的二茂铁和/或二茂铁的衍生物作为电子转移媒介材料可桥接所述发光层和所述电荷功能层，以实现电子稳定地从所述电荷功能层通过所述功能层传输至所述发光层，从而提高发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，具体涉及一种发光器件及其制备方法。

技术介绍

1、随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，因此已有较多研究是将量子点应用于发光二极管(light emitting diode)中，具体而言，量子点的结构一般包括三部分，即，核、壳和通过螯合等结合方式结合至核和壳上的有机配体，其中，核和壳为量子点提供光致发光功能，有机配体一方面具有使核和壳变得稳定的作用，另一方面具有提高核和壳溶解或分散于有机溶剂中的能力的作用。

2、现有的采用量子点材料作为发光材料的发光二极管中，由于量子点发光层与电子传输层之间存在的能垒小于空穴传输层到量子点发光层的能垒，使得空穴和电子在传输过程中在量子点发光层的复合不平衡，增加了由非辐射复合引起的激子猝灭，还会对量子点的有机配体造成破坏，从而使得器件的发光效率得以降低。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种发光器件及其制备方法，旨在解决现有的发光器件的发光效率低的技术问题。

2、本专利技术的再一目的在于提供一种发本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件，包括依次层叠设置的第一电极、发光层、功能层、电荷功能层、第二电极，其特征在于，所述功能层的材料包括二茂铁和/或如下式I所示的二茂铁的衍生物，

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在式(I)中，R1和R2各自独立地选自氢、卤素、羟基、羧基、硝基、磺酸基、醛基、巯基、氰基、取代或未取代的C1～C10的链式烷基、取代或未取代的C1～C10的烷氧基、取代或未取代的环原子数为4～20的环烷基、取代或未取代的环原子数为4～20的杂环烷基、取代或未取代的环原子数为6～20的芳基、取代或未取代的环原子数为6～20的杂芳基中的一种或多种的组合，n1和n2独立地选自0...

【技术特征摘要】

1.一种发光器件，包括依次层叠设置的第一电极、发光层、功能层、电荷功能层、第二电极，其特征在于，所述功能层的材料包括二茂铁和/或如下式i所示的二茂铁的衍生物，

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在式(i)中，r1和r2各自独立地选自氢、卤素、羟基、羧基、硝基、磺酸基、醛基、巯基、氰基、取代或未取代的c1～c10的链式烷基、取代或未取代的c1～c10的烷氧基、取代或未取代的环原子数为4～20的环烷基、取代或未取代的环原子数为4～20的杂环烷基、取代或未取代的环原子数为6～20的芳基、取代或未取代的环原子数为6～20的杂芳基中的一种或多种的组合，n1和n2独立地选自0～2。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述二茂铁的衍生物为1,1’-双(苯基膦基)二茂铁、1,1’-二硼酸二茂铁、1,1’-二茂铁二甲酸、二茂铁甲酸、溴代二茂铁、二茂铁基乙酸、邻二茂铁甲酰基苯甲酸中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光层为量子点发光层，所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete及snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、g...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁密，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：