一种具有高抗压性能的肖特基二极管制造技术

本技术公开了一种具有高抗压性能的肖特基二极管，包括半导体本体，所述半导体本体的底部一体定位有半导体衬底，所述半导体衬底上定位有阳极金属体与绝缘体，所述半导体本体的内部靠近顶端位置定位有导电类型JTE区，所述导电类型JTE区的内部设置有斜沟槽、第一导电材料与第二导电材料，所述半导体本体中一体定位有加强支撑框，所述半导体衬底中一体定位有防护外框。本技术所述的一种具有高抗压性能的肖特基二极管，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度，提高其反向抗击穿能力，且同时增加半导体的使用强度，抗压性能更为优异，表面具有很好的保护效果，同时具有一定的屏蔽能力，更为实用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及二极管领域，特别涉及一种具有高抗压性能的肖特基二极管。

技术介绍

1、肖特基二极管也被称为热载流子二极管，是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管，具有种低功耗、大电流、超高速的特点，反相恢复时间短，随着科技的不断发展，人们对于肖特基二极管的制造工艺要求也越来越高。

2、现有技术中，授权公告号为cn106653870b的专利公开了一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管，步降低器件的击穿电压对jte浓度的敏感度，提高二极管反向抗击穿能力，现有的肖特基二极管在使用时存在一定的弊端，现有的肖特基二极管在使用时其反向抗击穿虽然有所提高，但是，现有的肖特基二极管防护效果较差，抗压能力不能很好的达到要求，容易出现损坏的情况，降低使用寿命，给实际的使用过程带来了一定的不利影响，为此，我们提出一种具有高抗压性能的肖特基二极管。

技术实现思路

1、解决的技术问题：针对现有技术的不足，本技术提供了一种具有高抗压性能的肖特基二极管，降低器件的击穿电压对jte浓度的敏感度，提高其反向抗击穿能力，且同本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有高抗压性能的肖特基二极管，包括半导体本体（2），其特征在于：所述半导体本体（2）的底部一体定位有半导体衬底（1），所述半导体衬底（1）上定位有阳极金属体（5）与绝缘体（4），所述半导体本体（2）的内部靠近顶端位置定位有导电类型JTE区（3），所述导电类型JTE区（3）的内部设置有斜沟槽（6）、第一导电材料（7）与第二导电材料（8），所述半导体本体（2）中一体定位有加强支撑框（9），所述半导体衬底（1）中一体定位有防护外框（12）。

2.根据权利要求1所述的一种具有高抗压性能的肖特基二极管，其特征在于：所述加强支撑框（9）上一体定位有第一V字形架体（11），所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种具有高抗压性能的肖特基二极管，包括半导体本体（2），其特征在于：所述半导体本体（2）的底部一体定位有半导体衬底（1），所述半导体衬底（1）上定位有阳极金属体（5）与绝缘体（4），所述半导体本体（2）的内部靠近顶端位置定位有导电类型jte区（3），所述导电类型jte区（3）的内部设置有斜沟槽（6）、第一导电材料（7）与第二导电材料（8），所述半导体本体（2）中一体定位有加强支撑框（9），所述半导体衬底（1）中一体定位有防护外框（12）。

2.根据权利要求1所述的一种具有高抗压性能的肖特基二极管，其特征在于：所述加强支撑框（9）上一体定位有第一v字形架体（11），所述第一v字形架体（11）的周边填充有环氧树脂（10），所述防护外框（12）上一体定位有第二v字形架体（13）。

3.根据权利要求1所述的一种具有高抗压性能的肖特基二极管，其特征在于：所述半导体本体（2）内壁表面设置有屏蔽片（14）、防水片（15）、绝缘片（16）与密封胶片（17）...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学兵，
申请(专利权)人：苏州艾镁特电子有限公司，
类型：新型
国别省市：