【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机光电功能材料,尤其是涉及一种低homo能级聚噻吩类聚合物及其制备方法和应用。
技术介绍
1、聚噻吩类聚合物是最早期、最经典且当时研究最广泛的一类聚合物给体材料,这类结构具有简单修饰,平面性和自组装性能良好以及载流子传输能力强等优势。经典的聚噻吩类聚合物—聚3-己基噻吩(p3ht)与富勒烯受体pc618m的共混器件中,获得了2.8%的pce。在随后的时间里,通过对器件形貌的调控以及更换使用更加高效的非富勒烯受体如icba、btp-4cl和zy-4cl等,其与聚3-己基噻吩(p3ht)器件的pce也逐渐超过了10%。
2、然而,聚噻吩类聚合物有一个明显的缺陷,即具有较高的homo能级(﹣4.9ev)和过度混合的活性层形貌,这就很大程度上限制了其与目前市面上大部分高性能非富勒烯受体之间的混溶性和适配性。
技术实现思路
1、为了降低聚噻吩类聚合物的homo能级,本专利技术提供一种低homo能级聚噻吩类聚合物及其制备方法。
2、本专利技术的第一方面是提供一种
...【技术保护点】
1.一种低HOMO能级聚噻吩类聚合物,其特征在于:所述低HOMO能级聚噻吩类聚合物的通式结构如下:
2.根据权利要求1所述的一种低HOMO能级聚噻吩类聚合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将2,5-双(5-溴-4-((2-丁基辛集)硫基)噻吩-2-基)噻唑并[5,4-d]噻唑、2,5-双(3-((2-己基癸基)氧基)-5-(三甲基锡烷基)噻吩-2-基)噻唑并[5,4-d]噻唑和2,5-双(三甲基锡烷基)噻吩加入甲苯溶剂中,在催化剂的催化作用下通过Stille偶联聚合反应获得低HOMO能级聚噻吩类聚合物。
3.根据权利要求2所述的一种低HO
...【技术特征摘要】
1.一种低homo能级聚噻吩类聚合物,其特征在于:所述低homo能级聚噻吩类聚合物的通式结构如下:
2.根据权利要求1所述的一种低homo能级聚噻吩类聚合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将2,5-双(5-溴-4-((2-丁基辛集)硫基)噻吩-2-基)噻唑并[5,4-d]噻唑、2,5-双(3-((2-己基癸基)氧基)-5-(三甲基锡烷基)噻吩-2-基)噻唑并[5,4-d]噻唑和2,5-双(三甲基锡烷基)噻吩加入甲苯溶剂中,在催化剂的催化作用下通过stille偶联聚合反应获得低homo能级聚噻吩类聚合物。
3.根据权利要求2所述的一种低homo能级聚噻吩类聚合物的制备方法,其特征在于:所述2,5-双(5-溴-4-((2-丁基辛集)硫基)噻吩-2-基)噻唑并[5,4-d]噻唑、2,5-双(3-((2-己基癸基)氧基)-5-(三甲基锡烷基)噻吩-2-基)噻唑并[5,4-d]噻唑和2,5-双(三甲基锡烷基)噻吩的摩尔比为1:a:1-a,其中a为0-1。
4.根据权利要求2所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:匡纪炜,陈林生,龙绪俭,肖增钧,肖阳,
申请(专利权)人:深圳飞扬骏研新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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