【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在包括高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor：hemt)的半导体装置中，栅电极、源电极以及漏电极被绝缘层覆盖。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020－017647号公报
5、近年来，随着高输出化和高频化，发热量倾向于增加。因此，期望散热性的进一步提高。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种能提高散热性的半导体装置和半导体装置的制造方法。
2、本公开的半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；第一主电极和第二主电极，设于所述半导体层之上；控制电极，在所述半导体层之上设于所述第一主电极与所述第二主电极之间；第一绝缘层，与所述控制电极直接接触，并且覆盖所述第一主电极；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层之上；第一导电层，贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，电连接于所述第一主电极，与所述第一绝缘层...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：新江定宪，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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