【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率转换器，特别是用于防爆应用的功率转换器，其包括能针对过电压和过电流的保护机制。
技术介绍
1、在许多实际应用中，电源是由功率转换器提供，这通常包括ac-dc或dc-dc转换器。在危险区域进行操作时，则必须根据标准60079-0和60079-11来采取措施，从而防止火花和高热产生并导致点燃易燃材料。一般状况中，这些实际应用是由电源装置供电，且电源装置可以将输入电压(例如电网电压)转换成用于危险区域应用中的电源电压。通常，电源设备会被设计成用于在几瓦的功率范围内。
2、为了保护这些电源装置的输出侧免受过电压和过电流的影响，在电源装置内部可设置保护电路。具体来说，为了防止过电压，可使用高功率齐纳二极管，将输出电压限制在击穿电压范围内。当发生过电压事件时，将随着通过齐纳二极管内的电流增加，如此一直到电流路径中的保险丝等的安全断路器装置被熔断为止。由于过电压事件的电流与保险丝熔断之间会存在延迟，齐纳二极管必须得能承载流过其中的电流。此外，标准60079-11所要求的是，齐纳二极管必须能够无条件地承载至少等于保险丝额定...
【技术保护点】
1.一种用于功率转换器且特别是用于防爆应用的保护电路(3)，其特征在于，包括：
2.如请求项1所述的保护电路(3)，其特征在于，所述半导体开关(TR1,TR2,NMOS,PMOS)被配置为当所述电阻器(R1,R2)上的电压增加至超过阈值电压时，其转为导通的。
3.如请求项1所述的保护电路(3)，其特征在于，所述半导体开关(TR1,TR2,NMOS,PMOS)是双极晶体管，其被配置为由控制端电流控制，其中通过所述半导体开关(TR1,TR2,NMOS,PMOS)的敏感发射极基极路径(sensitive emitter basis path)与所述电...
【技术特征摘要】
1.一种用于功率转换器且特别是用于防爆应用的保护电路(3)，其特征在于，包括：
2.如请求项1所述的保护电路(3)，其特征在于，所述半导体开关(tr1,tr2,nmos,pmos)被配置为当所述电阻器(r1,r2)上的电压增加至超过阈值电压时，其转为导通的。
3.如请求项1所述的保护电路(3)，其特征在于，所述半导体开关(tr1,tr2,nmos,pmos)是双极晶体管，其被配置为由控制端电流控制，其中通过所述半导体开关(tr1,tr2,nmos,pmos)的敏感发射极基极路径(sensitive emitter basis path)与所述电阻器(r1,r2)并联。
4.如请求项3所述的保护电路(3)，其特征在于，还在所述高电位电源线和所述低电位电源线之间设置反向极化的标准二极管或肖特基二极管(d1,d2)。
5.如请求项3所述的保护电路(3)，其特征在于，所述半导体开关(tr1,tr2,nmos,pmos)的所述控制端子与所述节点耦合连接。
6.如请求项1所述的保护电路(3)，其特征在于，所述半导体开关(tr1,tr2,nmos,pmos)是mosfet晶体管(nmos,pmos)，其被配置为由控制端子电压控制，其中通过所述半导体开关的敏感栅极-源极路径(sen...
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