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一种石墨基Yb2O3-TiB2-SiC陶瓷涂层材料的制备方法技术

技术编号:43311559 阅读:28 留言:0更新日期:2024-11-15 20:14
本发明专利技术涉及石墨基陶瓷涂层材料技术领域,具体涉及一种石墨基Yb<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;‑TiB<subgt;2</subgt;‑SiC陶瓷涂层材料的制备方法。本发明专利技术方法将SiC粉料、TiB<subgt;2</subgt;粉料以及Yb<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;粉料混合均匀,并包覆在石墨基体上进行烧结,在烧结的过程中进行施压,控制烧结的压力为30MPa,在烧结程序结束后,即可得到石墨基Yb<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;‑TiB<subgt;2</subgt;‑SiC陶瓷涂层材料。本发明专利技术方法在施压的条件下进行烧结,无需在石墨基体与陶瓷涂层之间制备SiC底层,即可解决了石墨基体与陶瓷涂层之间由于热膨胀系数不匹配导致的陶瓷涂层性能不稳定的问题,所得陶瓷涂层与基体间结合良好,陶瓷涂层表面平整,成分分布均匀,没有明显的缺陷,性能稳定;同时制备方法更加的简单、高效,涂层厚度可控,有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨基陶瓷涂层材料,具体涉及一种石墨基yb2o3-tib2-sic陶瓷涂层材料的制备方法。


技术介绍

1、陶瓷涂层是各类无机保护层的总称,具有耐磨、耐腐蚀、耐高温、高硬度、高强度和生物相容性好等优点;陶瓷涂层能够给基体提供特殊的功能特性,以克服基体材料的缺陷,提高材料的使用效能;因此,陶瓷涂层在航空航天、汽车制造、能源、化工、电子和生物医学领域都具有广泛应用;面对工业工程领域的需求,制备性能优异的陶瓷涂层迫在眉睫。

2、由于基体材料与陶瓷涂层之间热膨胀系数的差异,在现有的制备方法中,往往在基体材料与陶瓷涂层之间制备一层内涂层,从而保证陶瓷涂层的稳定性;如:ren等人(xuanru ren,et al.,preparation of oxidation protective hf0.2ta0.8b2-x-siccoating by in-situ reaction method on sic-coated carbon/carbon composite,journal of alloys and compounds,2015,618本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨基Yb2O3-TiB2-SiC陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种石墨基Yb2O3-TiB2-SiC陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于:所述的S1中,SiC粉料、TiB2粉料和Yb2O3粉料的粒度均为4~8μm;SiC粉料、TiB2粉料以及Yb2O3粉料的纯度≥99.9%。

3.根据权利要求1所述的一种石墨基Yb2O3-TiB2-SiC陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于:所述的S1中,SiC粉料、TiB2粉料以及Yb2O3粉料的质量比为2:3:0.4。

4.根据权利要求1所述的一种石墨基Yb2O3...

【技术特征摘要】

1.一种石墨基yb2o3-tib2-sic陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种石墨基yb2o3-tib2-sic陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于:所述的s1中,sic粉料、tib2粉料和yb2o3粉料的粒度均为4~8μm;sic粉料、tib2粉料以及yb2o3粉料的纯度≥99.9%。

3.根据权利要求1所述的一种石墨基yb2o3-tib2-sic陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于:所述的s1中,sic粉料、tib2粉料以及yb2o3粉料的质量比为2:3:0.4。

4.根据权利要求1所述的一种石墨基yb2o3-tib2-sic陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于:所述的s1中,将混合后的粉料通过湿法球磨混合均匀,形成浆料,浆料经过干燥、过筛后得到混合均匀的原料粉。

5.根据权利要求4所述的一种石墨基yb2o3-tib2-sic陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于:所述的球磨的磨球与原料粉的质量比为2:1,磨球成分为zro2,直径为3mm;球磨介质为无水乙醇;球磨的球磨转速为90r/min,球磨时间为24h。

6.根据权利要求4所述的一种石墨基yb2o3-tib2-sic陶瓷涂层材料的制备方法,其特征在于:所述过筛过程中,采用30目的不锈钢筛网将浆料中的磨球分离,并将分离后的浆料放入8...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢薇王帮飞王海龙任宣儒方成李明亮宋博
申请(专利权)人:郑州大学
类型:发明
国别省市:

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