【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造领域,尤其涉及一种功率器件芯片。
技术介绍
目前有些芯片的设计和制造采用元胞为基本结构,如双扩散金属氧化物半导体 器件DMOS是当今半导体界流行的Power MOSFET(Power metallic oxidesemiconductor field effecttransistor,功率晶体管)芯片制造技术,它的基本结构为元胞。采用元胞为 基本结构的芯片还有如IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管 等。元胞的种类closed Cell (闭合型元胞)和striped cell (条形元胞)两种类型。在 匿0S设计中,普通的闭合元胞为如图l所示的在平面上正六边形元胞,或如图2所示的正 方形元胞。以栅极介质层12作为正方形的外框,Source(源区阻挡区域14), Contact (接 触孔16)则在栅极介质层12的中间。芯片包括多个形状为正方形(或正六边形)且在平 面上无缝衔接的元胞10,如图4A或4B所示,各相邻元胞相互之间的栅极介质层12为相邻 元胞的公共栅极介质层共用。 现有技术中无论是芯片的元胞为正六边形或正方形,功率器件芯片电流能力都较 弱。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种功率器件芯片,以提高功率器件芯片电流能力。 本专利技术实施例提供以下技术方案 —种功率器件芯片,包括多个形状相同且在平面上无缝衔接的元胞,在平面上所述元胞栅极介质层的形状为与正方形面积相同时周长大于正方形周长的形状。 单位面积内沟道的宽长比是决定芯片电流能力的重要因素。在工艺一定的情况 ...
【技术保护点】
一种功率器件芯片,其特征在于,所述芯片包括多个形状相同且在平面上无缝衔接的元胞,在平面上所述元胞栅极介质层的形状为与正方形面积相同时周长大于正方形周长的形状。
【技术特征摘要】
一种功率器件芯片,其特征在于,所述芯片包括多个形状相同且在平面上无缝衔接的元胞,在平面上所述元胞栅极介质层的形状为与正方形面积相同时周长大于正方形周长的形状。2. 如权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述元胞栅极介质层的形状为除正方形之 外的平行四边形。3. 如权利要求2所述的芯片,其特征在于,所述元胞栅极介质层的形状为相邻两边夹 角为45度或135度的平行四边形。4. 如权利要求2所述的芯片,其特征在于,所述元胞栅极介质层的形状为长方形。5. 如权利要求1所述的芯片,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏飞,方绍明,陈勇,陈洪宁,王新强,张立荣,赵亚民,
申请(专利权)人:北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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