【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，尤其涉及一种芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备。
技术介绍
1、服务器中的cpu(central processing unit，中央处理器)、gpu(graphicsprocessing unit，图形处理器)等高功率芯片，作为数据处理的核心部件，在运行过程中会产生大量的热量，高功率带来的高热密度问题，已成为制约其性能发挥和稳定性的关键因素。
2、目前，芯片通常通过散热器进行散热，芯片通过散热金属盖与散热器相接触，芯片与散热金属盖之间具有硅脂、液态金属等热界面材料(thermal interface material，tim)。
3、然而，硅脂等常见的热界面材料有时会存在涂抹分布不均的问题，在高功率芯片运行时，与散热金属盖接触不良时，会导致芯片热点温度较高，散热能力不足。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种芯片封装方法，旨在至少解决现有技术中在高功率芯片运行时，与散热金属盖接触不良时，会导致芯片热点温度较高，散热能力不足的技术问题。
...【技术保护点】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，提供芯片裸片，在所述芯片裸片上形成金刚石层，包括：
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述第一金属键合层包括层叠设置的铬层、金层和外银层，所述外银层包括第一银层和第二银层；
4.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，将所述第一器件中的第一金属键合层与所述第二器件中的第二金属键合层进行键合，包括：
5.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺在所述芯片裸片上沉积金刚石层，包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，提供芯片裸片，在所述芯片裸片上形成金刚石层，包括：
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述第一金属键合层包括层叠设置的铬层、金层和外银层，所述外银层包括第一银层和第二银层；
4.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，将所述第一器件中的第一金属键合层与所述第二器件中的第二金属键合层进行键合，包括：
5.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺在所述芯片裸片上沉积金刚石层，包括：
6.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，对所述金刚石层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，
申请(专利权)人：苏州元脑智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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