一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料的技术领域，公开了一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠设置的缓冲层、N‑AlGaAs电流扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层，P‑AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，有利于将外延层的空穴分布得更加均匀，生长出高质量、高均匀性的外延层，提高LED芯片的良率，同时减少吸光，有效提高发光效率和发光强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料的，尤其涉及一种正极性红外led的外延结构及其制备方法。

技术介绍

1、红外led是一种将电能转换为光能的近红外发光器件，其波长集中在1μm-3μm范围，其具有体积小、功耗低、寿命长、稳定性高、指向性好等一系列优点。目前，红外led被广泛用于遥控、遥测、光隔离、光开关、光电控制、目标跟踪等系统。

2、现有技术中，正极性红外led的外延结构中，p型层材料为algaas，掺杂元素为mg或者c，但是仍存在以下缺陷：使用mg掺时，外延生长的窗口小，比较容易出现mg引起的外延缺陷，且吸光严重；使用c掺时，对反应室温度和气流的要求比较高，例如aixtron-g4-15片机设备中生长c掺外延层，由于小盘较大与边缘侧壁水冷的原因极易出现平边的c掺量比圆边的c掺量高1～2倍的情况，导致片内电性差别很大。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种正极性红外led的外延结构及其制备方法，可以减少p型层的吸光，使外延片内的空穴浓度均匀，提高外延层的晶体质量。

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【技术保护点】

1.一种正极性红外LED的外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的缓冲层、N-AlGaAs电流扩展层、N-AlGaAs限制层、多量子阱层、P-AlGaAs限制层、P-AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层；

2.如权利要求1所述的正极性红外LED的外延结构，其特征在于，所述P-AlGaAs电流扩展层的总厚度为4μm～9μm。

3.如权利要求1或2所述的正极性红外LED的外延结构，其特征在于，所述C掺杂AlGaAs层的厚度为30nm～60nm，所述Mg掺杂AlGaAs层的厚度为30nm～60nm。

4.如权利要求1所述的正极性红外LED的外延结构...

【技术特征摘要】

1.一种正极性红外led的外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的缓冲层、n-algaas电流扩展层、n-algaas限制层、多量子阱层、p-algaas限制层、p-algaas电流扩展层、p型gaas欧姆接触层；

2.如权利要求1所述的正极性红外led的外延结构，其特征在于，所述p-algaas电流扩展层的总厚度为4μm～9μm。

3.如权利要求1或2所述的正极性红外led的外延结构，其特征在于，所述c掺杂algaas层的厚度为30nm～60nm，所述mg掺杂algaas层的厚度为30nm～60nm。

4.如权利要求1所述的正极性红外led的外延结构，其特征在于，所述p-algaas电流扩展层中的空穴溶度大于3.5×1018cm-3，所述c掺杂algaas层的掺杂量小于所述mg掺杂algaas层的掺杂量。

5.如权利要求4所述的正极性红外led的外延结构，其特征在于，所述c掺杂alg...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钊，曹广亮，徐洲，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西耀驰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：