【技术实现步骤摘要】
本申请属于绝缘栅双极晶体管测试,具体涉及一种绝缘栅双极晶体管的测试电路。
技术介绍
1、为了对绝缘栅双极晶体管(igbt,insulate-gate bipolar transistor)进行选型,需要获知绝缘栅双极晶体管的最大工作电流值,即在绝缘栅双极晶体管的温度达到预设温度阈值的情况下,绝缘栅双极晶体管的有效电流值,需要说明的是,绝缘栅双极晶体管的有效电流值与绝缘栅双极晶体管的温度正相关。
2、在先技术中,工作人员采用人工方式对绝缘栅双极晶体管的最大工作电流值进行测试,以获取绝缘栅双极晶体管的最大工作电流值。
3、在实现本申请过程中,专利技术人发现在先技术中至少存在如下问题:由于工作人员采用人工方式对绝缘栅双极晶体管的最大工作电流值进行测试,导致工作效率低。
技术实现思路
1、本申请旨在提供一种绝缘栅双极晶体管的测试电路,至少解决在先技术中由于工作人员采用人工方式对绝缘栅双极晶体管的最大工作电流值进行测试,导致工作效率低的问题。
2、为了解决上述技术
...【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,包括:温度采集模块、控制模块、电流源模块;
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述温度采集模块包括热敏电阻、第一电阻、第二电阻、模数转换器;
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述绝缘栅双极晶体管的测试电路还包括过流保护模块;
4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述过流保护模块包括采集电阻、放大子模块、比较子模块;
5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述放
...【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,包括:温度采集模块、控制模块、电流源模块;
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述温度采集模块包括热敏电阻、第一电阻、第二电阻、模数转换器;
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述绝缘栅双极晶体管的测试电路还包括过流保护模块;
4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述过流保护模块包括采集电阻、放大子模块、比较子模块;
5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述放大子模块包括第一运算放大器、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管;
6.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述比较子模块包括第二运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻;
7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极晶体管的测试电路,其特征在于,所述比较子模块还包括第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖观迁,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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