基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于光电探测技术领域，具体公开一种基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件及其制备方法，该基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件包括金属纳米叉指结构、图形化的石墨烯异质结、一对金属电极以及硅/二氧化硅衬底。金属纳米叉指结构在电极中间，低维材料异质结位于沟道结构上方，从下到上分别为硅/二氧化硅衬底、金属纳米叉指结构、低维材料异质结。本发明专利技术制备的金属纳米叉指增强结构能够提升载流子产生和传输效率，提高器件光电性能。同时，纳米叉指结构对不同偏振角度的敏感，也为低维材料异质结器件进一步实现偏振探测提供策略。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测领域，具体为低维材料异质结光电探测领域，特别是涉及一种基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件及其制备方法。

技术介绍

1、目前光电探测器正朝着小型化、高性能和功能化方向(如光谱识别、偏振探测)发展，其中，偏振探测通过揭示物体材料折射率和粗糙度的差异，在目标识别、三维成像等领域具有极大的应用价值。低维材料具有原子级厚度、cmos工艺兼容性、独特的光电特性，为发展小型化、高性能和偏振光电探测器提供了契机。

2、近些年，低维材料与tmds、硅、碲镉汞等材料复合形成异质结，能够弥补薄膜材料光吸收低的不足，提升探测器光响应度。通常利用高载流子迁移率的石墨烯作为传输沟道，通过能带工程增加光生载流子寿命(photocarrier lifetime)，从而获得较高的光增益。但由于材料具有各向同性，缺乏对入射光信号的偏振敏感。

3、利用纳米光学结构(如结合金属等离子体、f-p腔、光子晶体)能够提升低维材料光吸收，并且通过这些光学结构的灵活设计可以实现对光场偏振信息敏感。但目前纳米光学结构提升光吸收的报道主要集中在增强光与物质相互作本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件，其特征在于，包括衬底、金属电极、石墨烯/MoS2薄膜以及金属纳米叉指结构，所述衬底的上端面两侧分别设置一个所述金属电极，所述金属纳米叉指结构设置于所述衬底的上端面且位于两个所述金属电极之间，所述金属纳米叉指结构以及所述金属电极的上方设置所述石墨烯/MoS2薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件，其特征在于，所述金属电极为Au电极。

3.根据权利要求1所述的基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件，其特征在于，所述衬底为Si/SiO2衬底。

4.根据权利要求1所述的基于金属纳米叉指的...

【技术特征摘要】

1.一种基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件，其特征在于，包括衬底、金属电极、石墨烯/mos2薄膜以及金属纳米叉指结构，所述衬底的上端面两侧分别设置一个所述金属电极，所述金属纳米叉指结构设置于所述衬底的上端面且位于两个所述金属电极之间，所述金属纳米叉指结构以及所述金属电极的上方设置所述石墨烯/mos2薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件，其特征在于，所述金属电极为au电极。

3.根据权利要求1所述的基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件，其特征在于，所述衬底为si/sio2衬底。

4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂长斌，孙飞莹，张启航，吴岳泉，姜禧龙，张先宁，
申请(专利权)人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：