一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载制造技术

技术编号:43292964 阅读:26 留言:0更新日期:2024-11-12 16:12
本发明专利技术属于微波毫米波技术,具体为一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,包括呈凹槽结构的电磁场约束载体,电磁场约束载体内设有与凹陷部相适应的负载本体,负载本体与电磁场约束载体之间通过金丝键合在一起;通过负载本体的在传播路径上引入多个π型电阻衰减网络,对输入信号的入射和反射能量同时进行多段式衰减,一是减小了到达终端50Ω负载的能量强度,增强了负载的散热性能,提高了负载的功率容量;二是对反射能量的再次衰减,减小了反射回输入端口的能量强度,提高了负载的整体驻波性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波毫米波技术,具体为一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载


技术介绍

1、随着科技的发展,在微波电路中低成本、高功率、小尺寸的功率器件扮演了非常重要的角色。

2、大功率微波负载主要用于在微波电路终端吸收大功率的微波能量,在保护微波设备避免遭受过载影响的同时,还需满足工作频带内驻波比尽可能小的要求,防止反射信号反射回前级电路元件进而影响前级电路的性能。表面贴装电阻(surface mounteddevices, smd)是大功率微波负载的常见形式。因其具有轻巧、相对较低的成本、高功率密度等优点,便于大规模生产和应用,在各种射频微波系统中被广泛应用。

3、目前国际上主要的smd大功率微波负载,以基于1310封装的大功率负载为例:emctechnology ® ct1310d及yantel ® td1310,采用化学气相沉积工艺的金刚石作为介质板基材,输入端口材料使用镍镀金,接地端表面采用镀金铂,电阻层采用tan(氮化钽)电阻薄膜,总体性能参数如下:

4、阻值:50ω±5%;>

5、长宽高:本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,包括呈凹槽结构的电磁场约束载体,电磁场约束载体内设有与凹陷部相适应的负载本体,负载本体与电磁场约束载体之间通过金丝键合在一起,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:镀金触点与电磁场约束载体之间密集排布的金丝连接。

3.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:所述π型电阻与氮化钽电阻薄膜的方阻均为50Ω/□。

4.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:所述介质层基...

【技术特征摘要】

1.一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,包括呈凹槽结构的电磁场约束载体,电磁场约束载体内设有与凹陷部相适应的负载本体,负载本体与电磁场约束载体之间通过金丝键合在一起,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:镀金触点与电磁场约束载体之间密集排布的金丝连接。

3.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:所述π型电阻与氮化钽电阻薄膜的方阻均为50ω/□。

4.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:所述介质层基材选用材料为金刚石。

5.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:所述电磁场约束载体采用铜镀金方式制备而成。

6.根据权利要求1所述的一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载,其特征在于:所述介...

【专利技术属性】
技术研发人员:周国立薛娜彭浩祁子言刘宇周翼鸿杨涛
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1