一种MEMS电容式传感器、麦克风制造技术

本发明专利技术涉及一种MEMS电容式传感器及麦克风，所述传感器包括：双层振膜、具有通孔的背板和基底，其中双层振膜与背板形成差分电容，所述双层振膜的端部设有多个密封结构，每个密封结构用于将双层振膜的可动部分密封，并使所述可动部分形成低压区域；所述密封结构与所述双层振膜端部共同形成狭缝，所述狭缝贯穿双层振膜并延伸至基底；所述双层振膜包括绝缘结构，所述绝缘结构位于基底与密封结构之间，并与基底形成释放阻挡结构，用于确定双层振膜的有效面积。本发明专利技术通过密封双膜结构和绝缘结构，提高振膜的有效面积，并消除寄生电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电机，具体涉及一种mems电容式传感器、麦克风。

技术介绍

1、随着电子产品的智能化，音频接口器件的需求急剧增加，目前电子产品中使用的麦克风主要分为两类，一种是ecm electret condenser microphone)驻极体麦克风，一种是mems(micro electro mechanical system)麦克风。mems麦克风由于使用微电子技术，因此具有体积小、成本更低、灵敏度一致性更好等优势，被大部分电子产品所使用，全球出货量超过70亿颗。高性能高可靠性的mems麦克风正在被广泛的研究和使用。

2、通常在振膜和基底之间存在牺牲层，振膜电极材料通常为poly silicon，牺牲层材料通常为sio2，在mems芯片的加工中牺牲层会被释放掉，牺牲层释放停止的位置为振膜固定的位置，通常牺牲层释放停止的位置不容易控制，可通过在振膜需要固定的位置对牺牲层进行部分刻蚀，形成阻挡槽，再用与sio2具有湿法刻蚀选择比的材料进行填充，从而形成固定位置；衬底通常为地电位，振膜为输出电极，因此不能用导电振膜层对阻挡槽进行填充。...

【技术保护点】

1.一种MEMS电容式传感器，包括：双层振膜、具有通孔的背板和基底，其中双层振膜与背板形成差分电容，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜的端部沿周向上至少设有三个密封结构。

3.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述密封结构沿周向均匀分布。

4.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜包括上振膜结构层、上振膜电极、下振膜结构层和下振膜电极。

5.根据权利要求4所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，去除背板通孔对应的上振膜电极位置和下振膜电极位置的...

【技术特征摘要】

1.一种mems电容式传感器，包括：双层振膜、具有通孔的背板和基底，其中双层振膜与背板形成差分电容，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的mems电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜的端部沿周向上至少设有三个密封结构。

3.根据权利要求1所述的mems电容式传感器，其特征在于，所述密封结构沿周向均匀分布。

4.根据权利要求1所述的mems电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜包括上振膜结构层、上振膜电极、下振膜结构层和下振膜电极。

5.根据权利要求4所述的mems电容式传感器，其特征在于，去除背板通孔对应的上振膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：石正雨，朱莉莉，胡绍璐，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：