【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电机，具体涉及一种mems电容式传感器、麦克风。
技术介绍
1、随着电子产品的智能化，音频接口器件的需求急剧增加，目前电子产品中使用的麦克风主要分为两类，一种是ecm electret condenser microphone)驻极体麦克风，一种是mems(micro electro mechanical system)麦克风。mems麦克风由于使用微电子技术，因此具有体积小、成本更低、灵敏度一致性更好等优势，被大部分电子产品所使用，全球出货量超过70亿颗。高性能高可靠性的mems麦克风正在被广泛的研究和使用。
2、通常在振膜和基底之间存在牺牲层，振膜电极材料通常为poly silicon，牺牲层材料通常为sio2，在mems芯片的加工中牺牲层会被释放掉，牺牲层释放停止的位置为振膜固定的位置，通常牺牲层释放停止的位置不容易控制，可通过在振膜需要固定的位置对牺牲层进行部分刻蚀，形成阻挡槽，再用与sio2具有湿法刻蚀选择比的材料进行填充，从而形成固定位置；衬底通常为地电位，振膜为输出电极，因此不能用导电振膜层对阻挡槽进行填充。
技术实现思路
1、为降低mems麦克风的底噪，提高振膜的有效面积，在本专利技术的第一方面提供了一种mems电容式传感器，包括：所述双层振膜的端部设有多个密封结构，每个密封结构用于将双层振膜的可动部分密封，并使所述可动部分形成低压区域；所述密封结构与所述双层振膜端部共同形成狭缝，所述狭缝贯穿双层振膜并延伸至基底；所述双层振膜包括绝缘结构
2、在本专利技术的一些实施例中，所述双层振膜的端部沿周向上至少设有三个密封结构。
3、在本专利技术的一些实施例中，所述密封结构沿周向均匀分布。
4、在本专利技术的一些实施例中，所述双层振膜包括上振膜结构层、上振膜电极、下振膜结构层和下振膜电极。
5、进一步的，对背板通孔对应的双层振膜部分进行去除，以消除寄生电容。
6、优选的，去除背板通孔对应的上振膜位置和下振膜位置的振膜，以消除寄生电容。
7、优选的，去除背板通孔对应的上振膜电极位置和下振膜电极位置的电极，以消除寄生电容。
8、进一步的，所述上振膜电极或下振膜电极的材料为多晶硅。
9、进一步的，所述绝缘结构的材料为sin。
10、进一步的，所述狭缝的宽度不大于2μm。
11、进一步的，所述背板的结构为三明治结构。
12、本专利技术的第二方面，提供了一种包括本专利技术的第一方面提供了一种mems电容式传感器的麦克风。
13、本专利技术的有益效果是：
14、本专利技术提供了一种mems电容式传感器，包括：双层振膜、具有通孔的背板和基底，其中双层振膜与背板形成差分电容，所述双层振膜的端部设有多个密封结构，每个密封结构用于将双层振膜的可动部分密封，并使所述可动部分形成低压区域；所述密封结构与所述双层振膜端部共同形成狭缝，所述狭缝贯穿双层振膜并延伸至基底；所述双层振膜包括绝缘结构，所述绝缘结构位于基底与密封结构之间，并与基底形成释放阻挡结构，用于确定双层振膜的有效面积。
15、可见，本专利技术通过密封双膜结构形成低气压区域，降低压膜阻尼，从而降低麦克风噪声，由于振膜部分固定，仅在振膜固定的位置振膜位移为零，其他位置具有较大位移，因此振膜具有较大的有效面积，有效面积与振膜实际面积比值为65％。振膜由双层膜组成，绝缘结构层及电极层。绝缘结构层的引入使得可以自由定义振膜电极的面积，从而消除不必要的寄生电容，绝缘结构层可以形成释放结构，从而定义振膜的固定边界，从而提高器件灵敏度的一致性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种MEMS电容式传感器，包括：双层振膜、具有通孔的背板和基底，其中双层振膜与背板形成差分电容，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜的端部沿周向上至少设有三个密封结构。
3.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述密封结构沿周向均匀分布。
4.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜包括上振膜结构层、上振膜电极、下振膜结构层和下振膜电极。
5.根据权利要求4所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，去除背板通孔对应的上振膜电极位置和下振膜电极位置的电极，以消除寄生电容。
6.根据权利要求4所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述上振膜电极或下振膜电极的材料为多晶硅。
7.根据权利要求4所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述绝缘结构的材料为SiN。
8.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特征在于，所述狭缝的宽度不大于2μm。
9.根据权利要求1所述的MEMS电容式传感器，其特
10.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的MEMS电容式传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种mems电容式传感器，包括：双层振膜、具有通孔的背板和基底，其中双层振膜与背板形成差分电容，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的mems电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜的端部沿周向上至少设有三个密封结构。
3.根据权利要求1所述的mems电容式传感器，其特征在于，所述密封结构沿周向均匀分布。
4.根据权利要求1所述的mems电容式传感器，其特征在于，所述双层振膜包括上振膜结构层、上振膜电极、下振膜结构层和下振膜电极。
5.根据权利要求4所述的mems电容式传感器，其特征在于，去除背板通孔对应的上振膜...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。