低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线制造技术

技术编号:43286534 阅读:34 留言:0更新日期:2024-11-12 16:08
本发明专利技术属于微波天线技术领域,具体提供一种低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线,以实现超宽带工作带宽和紧耦合相控阵天线的耐高功率的特点。本发明专利技术包括:辐射结构,即两个互相交叉的金属偶极子、金属偶极子上加载的开口结构、连接两个偶极子的介质支柱、金属偶极子下方渐变结构的金属支撑;馈电结构,即渐变式金属馈电带、带有开口槽的金属块、地板、同轴线。本发明专利技术通过利用在金属中开槽实现滤波器结构实现抑制带外干扰,通过渐变式金属馈电结构实现偶极子的馈电,通过在金属偶极子上蚀刻开槽引入了两个并联电容降低了输入阻抗,实现了更好的阻抗匹配从而拓展天线的工作带宽。该发明专利技术可用于电子对抗系统和高速运动的飞行器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波天线,具体提供一种低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线


技术介绍

1、在无线通信和雷达系统中,为了提升信息传输速率、扩展通信距离和增加空域覆盖范围,通常采用超宽带宽角扫描的相控阵技术。传统的超宽带相控阵设计通常是先设计具有宽带性能的单元,然后进行组阵。然而,这种方式会因天线单元数量的增加导致单元间耦合增强,进而对天线单元的宽频带性能产生负面影响。为抑制单元间的互耦效应,可以选择扩大单元间距,但这会导致方向图出现栅瓣并增大阵列体积。虽然在阵元之间加载特殊结构可以抑制互耦,但这会使相控阵结构复杂化。

2、为了解决上述问题,学者们广泛研究了基于wheeler无限电流片的紧耦合相控阵天线技术。紧耦合相控阵天线采用基于阵列的设计方式,通过利用有限的阵元来逼近无限电流片的辐射效能,借助增强单元间的互耦效应来突破阵元间距的限制,从而同时实现宽扫描角度、宽带和低剖面性能。

3、目前,紧耦合相控阵天线的辐射金属片通常是打印在介质基板上,但对于低剖面的金属紧耦合相控阵天线的研究较为匮乏。与介质板打印天线相比,金属天线具有耐高功率和更强本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线,包括辐射结构和馈电结构,其特征在于:

2.根据权利要求1所述低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线的辐射结构,其特征在于:

3.根据权利要求1所述低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线的馈电结构,其特征在于:

4.根据权利要求1所述低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线,其特征在于:所述天线单元横向尺寸为56.6mm×56.6mm,剖面高度为75mm。

5.根据权利要求1或权利要求2低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线的辐射结构,其特征在于:所述连接两个偶极子的介质支柱(3)成圆柱形状,其相对介电常数为2.2,...

【技术特征摘要】

1.一种低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线,包括辐射结构和馈电结构,其特征在于:

2.根据权利要求1所述低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线的辐射结构,其特征在于:

3.根据权利要求1所述低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线的馈电结构,其特征在于:

4.根据权利要求1所述低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线,其特征在于:所述天线单元横向尺寸为56.6mm×56.6mm,剖面高度为75mm。

5.根据权利要求1或权利要求2低剖面的超宽带金属紧耦合相控阵天线的辐射结构,其特征在于:所述连接两个偶极子的介质支柱(3)成圆柱形状,其相对介电常数为2.2,相对...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘锦李济帆王晓慧耿源杨德强刘思豪刘贤峰
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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