当前位置: 首页 > 专利查询>扬州大学专利>正文

一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器制造技术

技术编号:43283338 阅读:23 留言:0更新日期:2024-11-12 16:06
本发明专利技术公开了光学超材料技术领域内的一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器,包括生长在二氧化硅衬底上的多层纳米方锥结构,二氧化硅衬底与多层纳米方锥结构组合成装配体,多组装配体组合形成交叉阵列,所述多层纳米方锥结构由下至上分别为:下层铝方锥、中层砷化镓方锥和上层二氧化钛方锥,使得波长从近紫外到中红外(300nm‑20μm),在吸收带300‑965nm中实现了0.903的平均吸收率,并且吸收从965nm波长处的0.900急剧下降到1332nm波长处的0.101,在非吸收带1332nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.02。其中消光比为9.13dB,消光差为0.724,截止斜率为0.0019 nm<supgt;‑1</supgt;;截止纳米吸收器能够在纳米尺度上实现对特定波长光的高效吸收,可用于纳米光子器件和集成光子系统中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学超材料,特别涉及一种截止吸收器。


技术介绍

1、超材料是一种具有特殊性质的人造材料, 具有超常物理特性,例如可以实现自然界材料所不具备的电磁、光学、声学等特性。可以通过精确设计材料的微观结构来获得特定的宏观性能,这种设计可以针对不同的需求进行定制。在电磁学、光学、声学领域都有相应的应用,例如隐形技术、天线设计、高灵敏度传感、降噪材料等。完美吸收器是一种既能消除透射又能消除反射,并能吸收全部入射光的光学装置。近年来,超工作在紫外 (uv) 到红外(ir) 光谱带的表面纳米结构完美吸收器被广泛应用于许多科学领域,如结构色生成、高灵敏度检测、太阳能转换和高响应光电检测等。

2、在许多应用中,需要在吸收带和非吸收带之间有明显的吸收截止。截止吸收效率可表示为消光比er = 10*log (aa/an) db,其中aa为吸收带内的最小吸收,an为非吸收带内的最大吸收;消光差ed = aa-an;截止斜率cs = (aa-an)/(λa-λn),其中λa为吸收带内的最大波长/最小波长,λn为非吸收带内的最小波长/最大波长。hossain等人本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器,其特征在于,包括生长在二氧化硅衬底上的多层纳米方锥结构,二氧化硅衬底与多层纳米方锥结构组合成装配体,多组装配体组合形成交叉阵列,所述多层纳米方锥结构由下至上分别为:下层铝方锥、中层砷化镓方锥和上层二氧化钛方锥。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器,其特征在于,所述下层铝方锥的下底边长与阵列周期p保持一致,二氧化硅衬底的顶面与下层铝方锥的下底尺寸相同,下层铝方锥的上底与中层砷化镓方锥的下底尺寸相同,中层砷化镓方锥的上底与上层二氧化钛方锥的下底尺寸相同。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米方...

【技术特征摘要】

1.一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器,其特征在于,包括生长在二氧化硅衬底上的多层纳米方锥结构,二氧化硅衬底与多层纳米方锥结构组合成装配体,多组装配体组合形成交叉阵列,所述多层纳米方锥结构由下至上分别为:下层铝方锥、中层砷化镓方锥和上层二氧化钛方锥。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器,其特征在于,所述下层铝方锥的下底边长与阵列周期p保持一致,二氧化硅衬底的顶面与下层铝方锥的下底尺寸相同,下层铝方锥的上底与中层砷化镓方锥的下底尺寸相同,中层砷化镓方锥的上底与上层二氧化钛方锥的下底尺寸相同。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于...

【专利技术属性】
技术研发人员:钱沁宇杨晔王钦华
申请(专利权)人:扬州大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1