一种硒硫化锑-硫化铅复合膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术属于太阳能电池器件技术领域，公开了一种硒硫化锑‑硫化铅复合膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括以下步骤：在三电极体系中，将硒硫化锑膜在含铅盐电解液中进行电沉积；将所得电沉积后的硒硫化锑膜进行退火处理。本发明专利技术利用无硫源电解液中的铅离子在电化学和浓度驱动力下结合硒硫化锑薄膜本身的硫原子形成超薄硫化铅层，其作为无机空穴层，结合退火处理协助完成离子扩散以及薄膜二次晶体生长，改善了硒硫化锑薄膜的结晶性并优化了硒硫化锑的薄膜取向，为硒硫化锑薄膜制成器件以提高光电转换效率提供新的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池器件，尤其涉及一种硒硫化锑-硫化铅复合膜及其制备方法与应用。

技术介绍

1、锑基硫族半导体材料具有元素储量丰富、无毒无害等优点，其中，硒硫化锑(sb2(s,se)3)由于其带隙宽度可调节(1.1～1.7ev)，在可见光范围内吸光系数高(>105cm-1)，近年来受到研究者的广泛关注。硫化铅作为量子点也展现出优异的光电性能。但由于硫化镉对于铅元素的富集作用，对硒硫化锑薄膜太阳能电池器件的效率提升还有待研究。

2、现有制备硒硫化锑薄膜的方法包括物理法和化学法。物理法主要包括热蒸发法、磁控溅射法、近空间升华法、分子束外延等，但物理法所需设备一般比较昂贵，成本较高。化学法包括溶液法、化学水浴沉积法、水热法、电化学沉积等，这类方法成本较低、操作简单，是广为应用的制备方法。目前，水热法制备的硒硫化锑薄膜太阳能电池的光电转化效率已达到10.7％，但是目前主要以spiro-ometad作为空穴层，该空穴层的原料及其制备成本较高，具有较大毒性和不稳定性，且spiro-ometad需溶于氯苯涂覆在硒硫化锑薄膜表面，但由于氯苯具有急性毒本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硒硫化锑-硫化铅复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述三电极体系为：硒硫化锑膜为工作电极，Pt为对电极，Ag/AgCl为参比电极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含铅盐电解液中的铅盐包括硝酸铅、醋酸铅与氯化铅中的一种或多种。

4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含铅盐电解液中铅盐的浓度为0.01～1mol/L。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述电沉积的电位为-1～-0.2...

【技术特征摘要】

1.一种硒硫化锑-硫化铅复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述三电极体系为：硒硫化锑膜为工作电极，pt为对电极，ag/agcl为参比电极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含铅盐电解液中的铅盐包括硝酸铅、醋酸铅与氯化铅中的一种或多种。

4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含铅盐电解液中铅盐的浓度为0.01～1mol/l。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述电沉积的电位为-1～-0.25v，时间为30s～3min。

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，吴婷，朱长飞，唐荣风，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：