【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，单晶硅作为太阳能电池的主 要原料，激光加工作为先进制造技术已广泛应用于汽车、电子、电器、航空、 冶金、机械制造、军事等行业。通过优化输出功率、脉冲频率、脉冲宽度和辅 助气压等参数，切割的单晶硅具有线条平滑、均匀、不挂渣等特点
技术介绍
光纤激光具有光束质量好、转换效率高、运行成本低及体积小等优点，近年 在激光打标、焊接、切割和微加工等方面得到广泛的应用。激光加工具有非接 触、无工具磨损、速度快、精度高、自动化、无环境污染、加工范围广等优点。 激光切割以切割范围广、速度高、切缝窄、质量好、热影响区小和加工柔性大 等优点得到了极为广泛的应用，其成为激光加工中最为成熟的技术之一。利用激 光切割单晶硅，具有高效率、高精度的特点，容易生产各种款式。获得最佳切割 工艺参数。切割的单晶硅曲线平滑、无毛刺、不挂渣而且切割速度快，完全符合 精密加工的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是一种激光精密加工单晶硅片板的方法，填补国内外空白。采用光纤激光精密切割系统，在25mm厚的单晶硅片上进行了的切割。实验 发现，切缝宽度随加工速度的增大而减小；随脉冲宽度和重复频率的增大而增 大。在脉冲宽度和重复频率一定时，改变加工速度，意味着改变激光的能量密度。 加工速度越快，辐射面的激光能量密度越小，反之，激光能量密度越大。当加工速度增大到一定值的时候，辐射面的激光能量密度不足以使材料完全熔化或者气化，所以不能完全切割材料;而当速度减小到某一范围时，激光能量密度足够大，可以使被照射材料完全熔化或气化，在辅助气体的作用下去除材料，形成光滑均匀的切缝；当速度继续下降时，激光能...
【技术保护点】
一种激光精密加工单晶硅的方法，采用参数：激光器输出功率７０Ｗ；激光频率１０００Ｈｚ；脉冲宽度０．５ｍｓ；辅助气体氧压０．６ＭＰａ．扫描速度为２０ｍ／ｓ切割的单晶硅片曲线平滑、切面没有毛刺、不挂渣等优点，而且切割速度快，完全符合精密加工的要求。
【技术特征摘要】
1.一种激光精密加工单晶硅的方法，采用参数激光器输出功率70W；激光频率1000Hz；脉冲宽度0.5ms；辅助气体氧压0.6MPa.扫描速度为20m/s切割的单晶硅片曲线平滑、切面没有毛刺...
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