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电光调制器设备、方法和应用技术

技术编号:43248837 阅读:31 留言:0更新日期:2024-11-08 20:33
一种电光调制器设备及利用降频转换过程的相关方法,其中,低频率输出信号具有高的调制效率,相当于已调制高频率输入信号的高调制效率。

【技术实现步骤摘要】


技术介绍

1、本文描述的方面和实施例最一般地涉及电光(eo)调制、相关方法和应用的领域;更具体地,涉及用于调制激光发射器输出的设备和方法;更具体地,涉及高效、高速eo调制器(eom)设备、用于高效、高速eo调制的方法和应用。

2、激光频率和/或强度的高速调制对于许多应用是重要的,例如数据通信、传感、增强/虚拟现实等。铌酸锂(ln)非常适合这一目的,因为它表现出具有极快响应时间的电光普克尔斯(pockels)效应,并已广泛用于高速电光调制。然而,在大多数应用所在的电信波段中,调制效率相当有限,例如,对于光学数据通信,基于ln的电光调制器(eoms)与基于硅或inp的eoms相比具有较低的调制效率,从而导致较高的功耗。由于功耗是影响数据中心运行的关键因素,这在数据通信中引起了相当的担忧。作为另一个例子,对于调频连续波(fmcw)激光雷达(光探测和测距),激光频率的调谐范围直接影响测距分辨率。然而,基于ln的频率调制方法需要相对较高的电压(高达数十伏)来实现合理的频率调谐量,这使得其在实践中难以实施。有限的调制效率给实际应用带来了严峻的挑战。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电光调制器设备,包括:

2.根据权利要求1所述的电光调制器设备,还包括波分解复用器WDM DEMUX,所述WDMDEMUX适于将频率为ω1和ω2的两个激光输入分别分离成频率为ω1的第一激光的输入传播路径和频率为ω2的第二激光的输入传播路径。

3.根据权利要求1所述的电光调制器设备,其中,所述设备平台是以下中至少一种:铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸钾(KNbO3)、III-V族半导体(AlN、GaN、GaP、GaAs、AlGaAs、InP)、钛酸钡(BaTiO3)、电光聚合物、硅、或通过将这些材料之一与诸如氮化硅或二氧化硅的介电材料集成...

【技术特征摘要】

1.一种电光调制器设备,包括:

2.根据权利要求1所述的电光调制器设备,还包括波分解复用器wdm demux,所述wdmdemux适于将频率为ω1和ω2的两个激光输入分别分离成频率为ω1的第一激光的输入传播路径和频率为ω2的第二激光的输入传播路径。

3.根据权利要求1所述的电光调制器设备,其中,所述设备平台是以下中至少一种:铌酸锂(linbo3)、钽酸锂(litao3)、铌酸钾(knbo3)、iii-v族半导体(aln、gan、gap、gaas、algaas、inp)、钛酸钡(batio3)、电光聚合物、硅、或通过将这些材料之一与诸如氮化硅或二氧化硅的介电材料集成而形成的复合介质。

4.根据权利要求1所述的电光调制器设备,其中,所述eom由所述设备平台材料制成。

5.根据权利要求1所述的电光调制器设备,其中,所述dfg是dfg非线性波导和dfg非线性微谐振器中的一种。

6.根据权利要求5所述的电光调制器设备,还包括用于ω1和ω2...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙炫
申请(专利权)人:孙炫
类型:发明
国别省市:

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