具有芴骨架的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含芴结构的聚合物和溶剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及eb(电子束)或euv(极紫外线)光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜、半导体加工用基板、半导体元件的制造方法和图案形成方法。

技术介绍

1、在lsi(半导体集成电路)等的半导体装置方面，随着集成度的提高而需要形成微细图案，近年来最小图案尺寸到达了100nm以下。

2、这样的半导体装置中的微细图案的形成，已通过曝光装置光源的短波长化及改良抗蚀剂材料而实现。现在是实行以作为深紫外线的波长193nm的arf(氟化氩)准分子激光为光源，并介由水进行曝光的液浸曝光法，关于抗蚀剂材料，也已经开发出以丙烯酸树脂为基底的各种arf对应抗蚀剂材料。

3、此外，作为新一代的曝光技术，已经对利用电子束(eb：electron beam)的eb曝光法，或以波长13.5nm的软x光为光源的euv(极紫外线)曝光法进行研究，图案尺寸到了30nm以下，并进一步向微细化发展。

4、然而，随着这样的图案尺寸的微细化，抗蚀剂图案侧壁的粗糙(ler；line edgeroughness)及抗蚀剂图案宽度的不均匀(lw本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含芴结构的聚合物和溶剂。

2.如权利要求1所述的EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的部分结构，

3.如权利要求2所述的EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)中的X1表示下述式(1-A)或(1-B)所示的二价有机基，

4.如权利要求2所述的EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物进一步包含下述式(2-1)所示的部分结构和下述式(2-2)所示的部分结构中的至少任一者，

5.如权利要求1所述的EB或EUV光刻用抗蚀...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含芴结构的聚合物和溶剂。

2.如权利要求1所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的部分结构，

3.如权利要求2所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)中的x1表示下述式(1-a)或(1-b)所示的二价有机基，

4.如权利要求2所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物进一步包含下述式(2-1)所示的部分结构和下述式(2-2)所示的部分结构中的至少任一者，

5.如权利要求1所述的eb或e...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水祥，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：