发射半峰宽为18nm且量子产率近100%的纯紫光氧掺杂碳量子环的制法和应用制造技术

本发明专利技术涉及荧光碳纳米材料领域，具体涉及发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环的制法和应用。本发明专利技术以2,3‑二羟基萘为碳源前驱体，通过固相催化反应制备了量子产率接近100％的窄谱带紫光碳量子环。本发明专利技术制备的碳量子环为具有氧掺杂的六边形环状结构，在显示器件领域具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及荧光碳纳米材料领域，具体涉及发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环的制法和应用。

技术介绍

1、根据发光材料的种类，自发光显示器可分为有机发光二极管(oleds)、量子点发光二极管(qleds)和钙钛矿发光二极管(peleds)。窄谱带发光的oleds已经在智能手机和电视等平板显示方面迈向实际应用。然而，目前大多数oleds产品往往采用真空蒸镀技术，具有成本高、器件结构复杂、良品率低等不足，这极大地阻碍了其进一步的大规模生产。相比之下，qleds和peleds具有可溶液加工、高荧光量子产率(plqy)和窄带宽等特点，可通过溶液加工实现大面积生产。然而，由于重金属元素(cd,pb等)的毒性、以及相对较差的胶体和光热稳定性、容易发生聚沉降解和光漂白等缺点，有必要探索和发展无毒性、高稳定性以及荧光性质优异的新型窄谱带发光的量子点用于下一代显示技术。

2、碳量子点(carbon quantum dots,cqds)作为纳米碳材料的新成员，是一种零维(0d)纳米材料，其特征是薄层石墨片(通常为1-3层，厚度小于2nm本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环，其特征在于，所述量子环通过包括以下步骤的方法制备：

2.根据权利要求1所述的发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环，其特征在于，在步骤(3)中，采用石油醚/二氯甲烷的混合溶剂作为洗脱液，依次通过碱性氧化铝和硅胶进行柱层析纯化，冷冻干燥得到碳量子环的固体粉末。

3.根据权利要求1所述的发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环，其特征在于，在步骤(1)中，所述催化剂与所述碳源前驱体的质量比为1:5～1:1.5。

4.一种制备发射半峰宽为18nm...

【技术特征摘要】

1.发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环，其特征在于，所述量子环通过包括以下步骤的方法制备：

2.根据权利要求1所述的发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环，其特征在于，在步骤(3)中，采用石油醚/二氯甲烷的混合溶剂作为洗脱液，依次通过碱性氧化铝和硅胶进行柱层析纯化，冷冻干燥得到碳量子环的固体粉末。

3.根据权利要求1所述的发射半峰宽为18nm且量子产率近100％的纯紫光氧掺杂碳量子环，其特征在于，在步骤(1)中，所述催化剂与所述碳源前驱体的质量比为1:5～1:1.5。

【专利技术属性】
技术研发人员：范楼珍，宋先之，张洋，袁廷，石钰鑫，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：