【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力系统继电保护，并且更具体地，涉及一种对继电保护设备进行单粒子效应测试的方法及装置。
技术介绍
1、随着继电保护设备的元器件集成度提升，运行电压降低，抗干扰能力下降，元器件单位软错误率呈上升趋势；另一方面，继电保护功能增强，智能板卡数量增多，包含的元器件规模不断变大，使继电保护设备在单粒子效应下的软错误率进一步上升，可能导致设备可靠性下降，甚至不正确动作，危害电网安全稳定运行，该问题已逐渐变得不可忽视。
2、为保证继电保护可靠性，需对设备抗单粒子效应进行测试验证。目前集成电路常用的方法有现场辐射加速测试法，电路模型分析法，仿真故障注入法。其中现场辐射加速测试法需专用辐射源，价格昂贵，且只能用于继电保护产品试产完成后的事后评估；电路模型分析法需要元器件版图及工艺参数，通常只能用于厂家内部评估自产元器件ser，常仅关注单一元器件或元器件内部某个模块，且方法较为精细复杂，不便用于继电保护产品。为保证继电保护可靠性，需对设备抗单粒子效应进行测试验证。目前集成电路常用的方法有现场辐射加速测试法，电路模型分析法，仿真故障...
【技术保护点】
1.一种对继电保护设备进行单粒子效应测试的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分析待测试继电保护设备单粒子效应的影响范围及影响效果，确定所述待测试继电保护设备的单比特变位存储单元板卡之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单粒子效应包括：单粒子翻转和单粒子瞬态，其中，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述单比特变位存储单元板卡对所述待测试继电保护设备进行时序逻辑测试，确定所述待测试继电保护设备的时序逻辑测试结果，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种对继电保护设备进行单粒子效应测试的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分析待测试继电保护设备单粒子效应的影响范围及影响效果，确定所述待测试继电保护设备的单比特变位存储单元板卡之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单粒子效应包括：单粒子翻转和单粒子瞬态，其中，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述单比特变位存储单元板卡对所述待测试继电保护设备进行时序逻辑测试，确定所述待测试继电保护设备的时序逻辑测试结果，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述单比特变位存储单元板卡中直接引起动作出口的全部逻辑的存储单位进行置位测试，确定所述待测试继电保护设备的第一置位方案，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述单比特变位存储单元板卡的典型存储单元进行置位测试，确定所述待测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，张逸帆，张晓莉，吕鹏飞，韦尊，施文，杭天琦，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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