背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统技术方案

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，在背接触太阳能电池中，第一凹槽和第二凹槽之间具有凸台，第一掺杂层设置在第一凹槽处且具有延伸至凸台边缘的第一延伸部分，第二掺杂层设置在第二凹槽处且具有延伸至凸台边缘的第二延伸部分，第一延伸部分和第二延伸部分与凸台之间均具有绝缘层。如此，在背接触太阳能电池中，第一掺杂层和第二掺杂层之间通过凸台进行隔离，可以提升第一掺杂层和第二掺杂层之间的隔离效果，同时，通过第一延伸部分、第二延伸部分以及第一绝缘层和第二绝缘层的设置，可以提高对两个凹槽边缘位置处的钝化效果，从而提升背接触太阳能电池的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统。

技术介绍

1、背接触太阳能电池是一种将电极均设置在电池的背面的高效率电池，具体地，在背接触太阳能电池中，p型电极和n型电极均设置在背面，使得前表面无金属栅线的遮挡，提高电池片的效率。

2、在相关技术中，背接触太阳能电池中的p型掺杂层与n型掺杂层直接位于硅衬底背面，通过在两者之间开设沟槽来实现p型掺杂层与n型掺杂层的隔离。然而，采用这样的方式的隔离效果较差，同时钝化效果也较差，未充分考虑隔离效果和钝化效果之间的匹配设计，所以，目前的背接触太阳能电池的性能欠佳。

技术实现思路

1、本申请提供一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统。

2、本申请是这样实现的，本申请实施例的背接触太阳能电池包括：

3、硅衬底，所述硅衬底具有相对的正面和背面，所述背面上形成有依次交替间隔排列的若干第一凹槽和若干第二凹槽，所述硅衬底在相邻的所述第一凹槽和所述第二凹槽之间形成有凸台；

4、层叠设置在所述第一凹槽内的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凸台的表面为非绒面结构；和/或

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二凹槽的表面粗糙度大于所述第一凹槽的表面粗糙度。

4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凸台的表面包括被所述第一掺杂层和所述第二掺杂层遮挡的第一区域和未被所述第一掺杂层和所述第二掺杂层遮挡的第二区域，所述第二区域的表面粗糙度大于所述第二凹槽的表面粗糙度。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二区域的表面粗...

【技术特征摘要】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凸台的表面为非绒面结构；和/或

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二凹槽的表面粗糙度大于所述第一凹槽的表面粗糙度。

4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凸台的表面包括被所述第一掺杂层和所述第二掺杂层遮挡的第一区域和未被所述第一掺杂层和所述第二掺杂层遮挡的第二区域，所述第二区域的表面粗糙度大于所述第二凹槽的表面粗糙度。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二区域的表面粗糙度大于所述第一区域的表面粗糙度。

6.根据权利要求1所述背接触太阳能电池，其特征在于，所述凸台中未被所述第一掺杂层和所述第二掺杂层覆盖的区域上形成有内陷槽。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述第二凹槽中，所述第二凹槽的底部上形成有分隔槽，所述分隔槽处不具备所述第二介电层和所述第二掺杂层。

8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一凹槽的深度为100nm-10μm；和/或

9.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

10.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之间的差值为50nm-10μm。

11.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层为掺磷掺杂层，所述第二掺杂层为掺硼掺杂层；

12.根据权利要求11所述的背接触太阳能电池，其特征在于，沿所述第一凹槽朝向所述第二凹槽的方向，所述凸台中的磷掺杂浓度逐渐降低；

13.根据权利要求1所述的背接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永谦，邱开富，杨新强，陈刚，
申请(专利权)人：山东爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：