【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及霍尔传感器,尤其涉及一种三维霍尔传感器的制备方法及三维霍尔传感器。
技术介绍
1、现有的三维霍尔传感器多采用多组水平型霍尔传感相互正交或水平型霍尔传感器与垂直型霍尔传感器叠加的方式来实现,这种将多个一维霍尔传感器在空间上进行组合来测量三维磁场的方法极大地增加了器件的设计难度和封装工艺的复杂度,并且使得器件的尺寸增大,不利于器件的集成以及小型化。
2、另外,现有的霍尔传感器多采用si、inas、insb等窄禁带半导体材料。虽然现有较为成熟的制造工艺,但受制于材料过低的禁带宽度,在高温下,材料内部杂质散射、晶格散射严重影响载流子迁移率,并且在温度变化较大的环境下,窄禁带半导体的本征载流子的浓度变化超过了传感器稳定工作的可接受范围,难以适应高温等复杂恶劣的场景。
3、因此,现有技术还有待于进一步的改进和提升。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足,本专利技术提供一种三维霍尔传感器的制备方法及三维霍尔传感器,旨在解决现有三维霍尔传感器设计难度和封装难度工艺
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1.一种三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述氮化镓沟道层的厚度为1.0-2.5μm。
3.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述氮化铝镓势垒层的厚度为30-50nm。
4.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述氮化铝镓势垒层的组成为AlxGa1-xN,其中,0.2≤x≤0.5。
5.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述电极从内到外依次包括第一金属层、第二金属层、第三金属层以
...【技术特征摘要】
1.一种三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述氮化镓沟道层的厚度为1.0-2.5μm。
3.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述氮化铝镓势垒层的厚度为30-50nm。
4.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述氮化铝镓势垒层的组成为alxga1-xn,其中,0.2≤x≤0.5。
5.根据权利要求1所述的三维霍尔传感器的制备方法,其特征在于,所述电极从内到外依次包括第一金属层、第二金属层、第三金属层以及第四金属层;所述第一金属层为钛金属层;第二金属层为铝金属层;第三金属层为镍金属或钛金属层;所述第四金属层为金金属层。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:于东洋,许佼,王序进,郭登极,刘宇航,郭镇斌,
申请(专利权)人:深圳大学,
类型:发明
国别省市:
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