【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及电子器件保护技术。更具体地讲，涉及一种igbt保护电路及其保护方法。
技术介绍
1、绝缘栅双极型三极管(insulated gate bipolar transistor，igbt)具有易驱动、高耐压、电流容量大、高速和低饱和压降等良好特性，故得到了极为广泛的应用。电机驱动是igbt的主要应用领域之一。
2、在igbt运行时，需要对igbt进行短路保护和过流保护，以防止igbt损坏。现有技术中进行短路保护或过流保护的方法是当监测到igbt短路或过流，且持续时间超过规定时间时断开igbt输出，并输出故障信号给单片机(micro controller unit，简称mcu)，通过mcu实现短路保护或过流保护。但现有技术进行短路保护或过流保护的方法存在无法有效控制保护时长和流过igbt的电流的问题，从而导致igbt易烧毁。
3、因此，如何有效控制保护时长和流过igbt的电流，降低igbt被烧毁的风险，提高igbt短路保护和过流保护的效果，仍然是亟待解决的。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种igbt保护电路、igbt装置和igbt保护方法，可有效控制保护时长和流过igbt的电流，降低igbt被烧毁的风险，提高igbt短路保护和过流保护的效果。
2、第一方面，本申请实施例提供一种igbt保护电路，包括：控制芯片、阻抗电路；
3、所述控制芯片与绝缘栅双极型三极管igbt的驱动电路之间信号连接；
4、一个所述阻抗电
5、所述控制芯片用于接收到所述驱动电路发送的igbt短路信号或igbt过流信号时，控制所述阻抗电路产生阻抗。
6、本申请实施例在igbt三相输出中每相的输出线路与负载之间设置一个该阻抗电路，或在三相输出中至少一相的输出线路与负载之间设置一个该阻抗电路。则在igbt与负载之间短路或igbt过流时，muc会检测到故障，从而使该驱动电路输出igbt短路信号或igt过流信号至该控制芯片。相应的，该控制芯片会控制该阻抗电路产生阻抗，从而抑制流经该igbt的电流过大和增大速度过快。经实验验证，利用本申请实施例提供的igbt保护电路对igbt进行保护时，保护时长可以降低至几纳秒，相比于现有技术而言，大程度得降低了igbt保护时长。因此，本申请实施例提供的该igbt保护电路可以有效控制保护时长和流过igbt的电流，降低igbt被烧毁的风险，提高igbt短路保护和过流保护的效果。
7、本申请一些实施例中，所述阻抗电路包括：寄生电路和双向导通可控电路；
8、一个所述双向导通可控电路的一端连接所述一相的输出线路，另一端连接负载；
9、所述寄生电路的一端连接所述双向导通可控电路的一端和所述一相的输出线路，另一端连接所述双向导通可控电路的另一端和所述负载；
10、所述控制芯片用于接收到所述igbt短路信号或所述igbt过流信号时控制所述双向导通可控电路断开；
11、所述寄生电路用于在所述双向导通可控电路断开后产生阻抗。
12、本申请一些实施例中，所述寄生电路包括：电感和/或第一电阻；
13、包含电感和第一电阻时，所述第一电阻的一端连接所述双向导通可控电路的一端和所述一相的输出线路，所述第一电阻的另一端连接所述电感的一端，所述电感的另一端连接所述双向导通可控电路的另一端和所述负载。
14、本申请一些实施例中，还包括：第二电阻；
15、所述第二电阻的一端连接所述控制芯片，另一端连接所述双向导通可控电路。
16、本申请一些实施例中，所述控制芯片用于：
17、接收到所述igbt短路信号或igbt过流信号时，输出低电平至所述双向导通可控电路，以控制所述双向导通可控电路断开。
18、本申请一些实施例中，所述控制芯片用于：
19、接收到所述驱动电路发送的正常运行信号时，输出高电平至所述双向导通可控电路，以控制所述双向导通可控电路导通；
20、所述双向导通可控电路导通后，所述igbt和所述负载导通。
21、第二方面，本申请提供一种igbt装置，包含如第一方面所述的igbt保护电路，还包括：igbt，igbt的驱动电路；
22、所述igbt连接该驱动电路和所述igbt保护电路；
23、所述驱动电路连接所述igbt保护电路。
24、本申请一些实施例中，还包括：覆铜陶瓷板；
25、所述igbt、所述驱动电路和所述igbt保护电路均设置在所述覆铜陶瓷板；
26、其中，
27、所述igbt中的阻抗电路集成设置在所连接的一相的输出线路。
28、第三方面，本申请提供一种igbt保护方法，应用于如第一方面所述的igbt保护电路，或，应用于如第二方面所述的igbt装置，所述方法包括：
29、当检测到igbt短路或过流时，控制阻抗电路产生阻抗；
30、其中，一个所述阻抗电路的一端连接所述igbt三相输出中一相的输出线路，另一端连接负载。
31、本申请一些实施例中，所述阻抗电路包括：寄生电路和双向导通可控电路；一个所述双向导通可控电路的一端连接所述一相的输出线路，另一端连接负载；所述寄生电路的一端连接所述双向导通可控电路的一端和所述一相的输出线路，另一端连接所述双向导通可控电路的另一端和所述负载；
32、所述当检测到igbt短路或过流时，控制阻抗电路产生阻抗包括：
33、当检测到igbt短路或过流时，通过所述控制芯片控制所述双向导通可控电路断开；
34、所述寄生电路用于在所述双向导通可控电路断开后产生阻抗。
35、本申请一些实施例中，所述方法还包括：
36、检测到igbt未短路和未过流时，通过所述控制芯片输出低电平至所述双向导通可控电路，以控制所述双向导通可控电路导通；
37、所述双向导通可控电路导通后，所述igbt和所述负载导通。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种IGBT保护电路，其特征在于，包括：控制芯片、阻抗电路；
2.根据权利要求1所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述阻抗电路包括：寄生电路和双向导通可控电路；
3.根据权利要求2所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述寄生电路包括：电感和/或第一电阻；
4.根据权利要求2或3所述的IGBT保护电路，其特征在于，还包括：第二电阻；
5.根据权利要求2或3所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述控制芯片用于：
6.根据权利要求2或3所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述控制芯片用于：
7.一种IGBT装置，其特征在于，包含如权利要求1-6任一项所述的IGBT保护电路，还包括：IGBT，IGBT的驱动电路；
8.根据权利要求7所述的IGBT装置，其特征在于，还包括：覆铜陶瓷板；
9.一种IGBT保护方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6任一项所述的IGBT保护电路，或，应用于如权利要求7-8任一项所述的IGBT装置，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种igbt保护电路，其特征在于，包括：控制芯片、阻抗电路；
2.根据权利要求1所述的igbt保护电路，其特征在于，所述阻抗电路包括：寄生电路和双向导通可控电路；
3.根据权利要求2所述的igbt保护电路，其特征在于，所述寄生电路包括：电感和/或第一电阻；
4.根据权利要求2或3所述的igbt保护电路，其特征在于，还包括：第二电阻；
5.根据权利要求2或3所述的igbt保护电路，其特征在于，所述控制芯片用于：
6.根据权利要求2或3所述的igbt保护电路，其特征在于，所述控制芯片用于：
7.一种igbt装置，其特征在于，包含如权利要求1-6任一项所述的igbt保护电路，还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪泽轩，陈健纯，张嫚嫚，张梅琼，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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