【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率晶体管领域，具体地，涉及功率晶体管电流感测领域。
技术介绍
1、电子电路通常包括晶体管，其用作调节或控制电路各部分中的电流的电子开关。一种类型的晶体管是场效应晶体管，其中电压被施加到栅极端子以导通和截止晶体管。半导体沟道区设置在漏极端子和源极端子之间。当晶体管导通时，电流流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道区。当晶体管截止时，较少电流或没有电流流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道区。栅极端子设置在源极端子和漏极端子之间的半导体沟道区之上。栅极端子上的电压会产生一个影响半导体沟道区是否传导电流的场，因此称为“场效应晶体管”。
2、然而，还有其他类型的晶体管。在每个晶体管中，当通过向控制节点施加足够的电压来“导通”晶体管时，电流通过沟道从输入节点流到输出节点。例如，在场效应晶体管中，控制节点将是栅极端子，输入节点将是源极端子或漏极端子之一，并且输出节点将是源极端子或漏极端子中的另一个。
3、典型的晶体管用于电子电路中的放大和开关目的。另一方面，功率晶体管用于传送更大量的电流，具有更高的额定电压，...
【技术保护点】
1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述功率晶体管和所述感测晶体管中的每一个都被制造在半导体衬底上，并且各自包围构建在所述半导体衬底上的外延叠层的对应部分。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述半导体衬底是第一半导体衬底，所述电流感测电路被制造在与所述第一半导体衬底不同的第二半导体衬底上。
4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底被封装在不具有高压电源轨端子的封装中。
5.根据权利要求4所述的电路，其中所述封装具有连接至所述功率晶体管输入端子和所述感测晶体管输入端子的...
【技术特征摘要】
1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述功率晶体管和所述感测晶体管中的每一个都被制造在半导体衬底上，并且各自包围构建在所述半导体衬底上的外延叠层的对应部分。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述半导体衬底是第一半导体衬底，所述电流感测电路被制造在与所述第一半导体衬底不同的第二半导体衬底上。
4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底被封装在不具有高压电源轨端子的封装中。
5.根据权利要求4所述的电路，其中所述封装具有连接至所述功率晶体管输入端子和所述感测晶体管输入端子的输入电压端子、连接至所述控制驱动端子的控制端子、连接至所述功率晶体管输出节点的低压电源端子以及连接至所述电流感测电路的输出的电流感测端子。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亚龙，夏英来，罗伯特·韦恩·芒格，幸楠，爱德华·麦克罗比，张哲民，
申请(专利权)人：英飞凌科技加拿大公司，
类型：发明
国别省市：
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